| 主权项 |
1.一种晶圆承载装置,包含: 一支撑构件,提供结构性力量分布; 一耦合于该支撑构件的承载板; 一晶圆附接机构,方便晶圆附接于该承载板附近; 及 一温度调节机构,调节被该附接机构安装的晶圆温 度。2.如申请专利范围第1项之装置,其中该温度调 节机构与该承载板一体地形成。3.如申请专利范 围第1项之装置,其中该温度调节机构系直接耦合 于该承载板。4.如申请专利范围第1项之装置,其中 该温度调节机构包括压电材料。5.如申请专利范 围第4项之装置,其中该温度调节机构包括多个绕 着该承载板设置的压电元件。6.如申请专利范围 第1项之装置,其中该温度调节机构包括一电线圈 。7.如申请专利范围第1项之装置,其中该温度调节 机构包括一个设置于该承载板上或该承载板中的 导管,能够传播导热流体。8.如申请专利范围第1项 之装置,更包含一个提供于该承载板外面的绝缘构 件,该绝缘构件使被该附接机构附接的晶圆与该承 载板之吸热特性隔离。9.如申请专利范围第8项之 装置,其中该绝缘构件有一个R値大约为2或更高。 10.一种晶圆抛光方法,包含的步骤为: 提供一晶圆; 调节该晶圆温度; 施加悬浮液于该晶圆上;及 机械性抛光该温度调节晶圆。11.如申请专利范围 第10项之方法,更包含提供一个载器给该晶圆的步 骤,且其中该温度调节步骤包括使该晶圆实质上隔 离于该载器之吸热特性的步骤。12.如申请专利范 围第10项之方法,其中该温度调节步骤包括以适当 方式施加一吸热源或加热源给该晶圆以达成该晶 圆上更均匀热分布的步骤。13.如申请专利范围第 10项之方法,更包含提供一个载器以固持该晶圆并 且藉由温度调节附接有该晶圆之该载器使该晶圆 温度调节的步骤。14.如申请专利范围第13项之方 法,其中该载器温度调节步骤包括至少部份藉由适 当吸热源的传播或透过该载器发出电气信号来调 节温度的步骤。15.一种晶圆承载装置,包含: 一支撑构件,提供结构性力量分布; 一耦合于该支撑构件的承载板; 一晶圆附接机构,方便晶圆附接于该承载板附近; 及 一绝缘构件,放置于该承载板的外面,且邻近被该 附接机构固持之晶圆放置之处,该绝缘构件的R値 至少约为2。16.如申请专利范围第15项之装置,其中 该绝缘构件有一个R値至少约为5。17.如申请专利 范围第15项之装置,其中该绝缘构件有一个R値至少 约为10。18.如申请专利范围第15项之装置,更包含 一温度调节机构,调节被该附接机构安装的晶圆温 度。图式简单说明: 第一图系制造期间MOSFET电晶体的剖面图。 第二图系根据本发明之台板和晶圆载器设备。 第三图系用于根据本发明之晶圆载器的承载板的 一个实施例。 第四图系用于根据本发明之晶圆载器的承载板的 另一个实施例。 |
