发明名称 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20010107127(A) 申请公布日期 2001.12.07
申请号 KR20000028366 申请日期 2000.05.25
申请人 HYNIX SEMICONDUCTOR INC. 发明人 KIM, HEUNG JIN
分类号 G11C16/04;H01L21/336;H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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