COMPONENT WITH A TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
摘要
<p>Zur Verringerung der Einsatzspannungsdrift bei PMOS-Transistoren wird vorgeschlagen, in Leiterbahnen oberhalb des PMOS-Transistors eine Getterschicht (14) mit einer Dicke von mindestens 40 nm vorzusehen.</p>
