| 摘要 |
<p>L'invention concerne un transistor bipolaire présentant des régions de base et de collecteur en matériau semi-conducteur à bande interdite étroite et un porteur minoritaire dépourvu de contact de base possédant un niveau de dopage de base supérieur à 1017 cm-3. Le transistor possède une gamme dynamique supérieure, une tension alternative supérieure, des produits gain-bande de puissance et une résistance d'accès à la base inférieure à celle des transistors bipolaires à bande interdite étroite de l'art antérieur.</p> |
