| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein feldeffektgesteuertes, vertikales Halbleiterbauelement, das in einem Halbleiterkörper angeordnet ist, mit
- mindestens einer Innenzone des ersten Leitungstyps,
- mindestens einer an die Innenzone und an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers angrenzende Basiszone des zweiten Leitungstyps,
- mindestens einer in jeder Basiszone angeordneten Sourcezone des ersten Leitungstyps,
- mindestens eine weitere Basiszone des zweiten Leitungstyps, die von der Basiszone durch eine Zwischenzone des ersten Leitungstyps beabstandet ist, und
- mindestens eine Sourcekontaktzone, die die Sourcezonen, die Basiszonen und die weiteren Basiszonen niederohmig miteinander verbindet.</p> |
