Method of atomic layer deposition,申请号EP19990967400-传众专利搜索

发明名称	Method of atomic layer deposition
摘要
申请公布号	EP1159465(A1)	申请公布日期	2001.12.05
申请号	EP19990967400	申请日期	1999.12.16
申请人	GENUS, INC.	发明人	DOERING, KENNETH;GALEWSKI, CARL, J.;GADGIL, PRASAD, N.;SEIDEL, THOMAS, E.
分类号	B01J19/00;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458;C23C16/46;C23C16/54;C30B25/12;C30B25/14;H01J37/32;H01L21/00;H01L21/205;(IPC1-7):C23C16/00;H05B3/06	主分类号	B01J19/00
代理机构		代理人
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