| 发明名称 | 用于塑封的砷化镓芯片钝化方法 | ||
| 摘要 | 本发明为提高砷化镓塑封芯片抗外界潮热环境可靠性提供一种用于塑封的砷化镓芯片钝化方法,该方法的核心由两部分组成,一是低应力氮化硅(Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>)膜生长,二是高可靠缓冲膜聚酰亚胺(PPI)。两次介质纯化为:第一次保护介质生长在完成栅制作后立即进行;第二次保护介质生长的目的是对除压点以外的芯片再进行一次介质保护;第二次钝化完成后,引入PPI材料作第三次钝化,第三次钝化膜用作塑封料和芯片之间的应力匹配缓冲层。 | ||
| 申请公布号 | CN1325132A | 申请公布日期 | 2001.12.05 |
| 申请号 | CN01113733.9 | 申请日期 | 2001.06.29 |
| 申请人 | 信息产业部电子第五十五研究所 | 发明人 | 李拂晓;蒋幼泉;徐筏乐;钮利荣;杨乃彬;邵凯 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L23/58 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 江苏省专利事务所 | 代理人 | 徐冬涛;叶立剑 |
| 主权项 | 1．一种用于塑封的砷化镓芯片钝化方法，其特征在于：a．第一次保护介质生长在完成栅制作后立即进行，介质生长条件为170-220℃，压力700-1100mTorr，功率20-50W，气体比例NH3/SiH4/3-6/150-350，流量600sccm，生长时间15-35分钟；b．第二次保护介质生长将常规生长的介质膜通过功率、温度的改变分段淀积；c．第三次纯化膜聚酰亚胺(PPI)用作塑封料和芯片之间的应力匹配缓冲层，PPI膜工艺方法如下：涂胶：2000-5000rpm，时间30秒烘胶：100-120℃曝光：I-Line曝光系统，剂量1000-1200mj/cm2 显影：显影液cyclopatanone，时间30″热处理：室温-300℃，时间3-5小时。 | ||
| 地址 | 210016江苏省南京市中山东路524号 | ||