| 发明名称 |
Method of electrically contacting the reverse side of a semiconductor substrate during processing |
| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kontaktierung einer Rückseite (9) eines Halbleitersubstrats (1), wobei die Rückseite (9) zumindest teilweise von einer isolierenden Schicht freigelegt wird, und das Substrat (1) mit seiner Rückseite (9) auf einer leitfähigen Kontaktschicht (3) angeordnet wird, die ihrerseits auf einem Substrathalter (2) angeordnet wird. <IMAGE></p> |
| 申请公布号 |
EP1160854(A1) |
申请公布日期 |
2001.12.05 |
| 申请号 |
EP20010110675 |
申请日期 |
2001.05.02 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
BIRNER, ALBERT, DR.;FRANOSCH, MARTIN;GOLDBACH, MATTHIAS, DR.;LEHMANN, VOLKER, DR.;LUETZEN, JOERN, DR. |
| 分类号 |
H01L21/683;(IPC1-7):H01L21/68 |
主分类号 |
H01L21/683 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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