| 主权项 |
1.一种真空操作设备,包括:一个气室,为了操作晶圆而将此气室设定至一预定之真空压力;一个排气装置,将该气室之气体抽离;一个排气管,连接该排气装置与气室;一个压力控制孔口,安装在该排气管内以控制该气室内的压力;一个控制停留时间之可变孔口,安装在该排气管内以便与压力控制孔口不相干地开/关,用来控制气室内气体的停留时间;及一个控制部,设有一记忆体,将该气室内操作进行的操作条件事先储存在记忆体内,并控制该排气装置的驱动和该压力控制孔口的开度。2.如申请专利范围第1项之设备,其中该设备更含有量测气室压力之压力量测装置,经由该控制部依照该压力量测装置检测之测量値控制该压力控制孔口的开度及经由该控制部依照该气室内操作的执行控制该控制停留时间之可变孔口的开度。3.如申请专利范围第1项之设备,其中该压力控制孔口是安装在该排气管内的排气通道上,而该控制停留时间之可变孔口是安装在该排气管内介于该气室和该压力控制孔口之间。4.如申请专利范围第1项之设备,其中该控制停留时间之可变孔口包括一个滑阀,此阀沿着该气室外壁安装在介于该气室和该排气管的接合处。5.如申请专利范围第2项之设备,其中该控制停留时间之可变孔口包括一个滑阀,此阀沿着该气室外壁安装在介于该气室和该排气管的接合处。6.如申请专利范围第3项之设备,其中该控制停留时间之可变孔口包括一个滑阀,此阀沿着该气室外壁安装在介于该气室和该排气管的接合处。7.一种真空操作设备,用以施行半导体晶圆进行真空操作,且具有一气室及一压力控制孔口,气室内部安置有半导体晶圆,并有反应气体供应至气室,而压力控制孔口是装置在连接至气室的排气管内部,以便控制气室内的压力;此真空操作设备包括:一个控制停留时间之可变孔口,其与压力控制孔口不相地开/关,用来控制气室内气体的停留时间;其中,气室内的压力及停留时间皆可个别独立地控制。图式简单说明:第一图A和第一图B分别是平面图和纵剖面图,展示了用来制造半导体装置的传统真空操作设备;第二图则是方块图,根据本发明之实施例,概要地展示此真空操作设备各个零组件之摆设位置,此发明是用来制造半导体装置;第三图A和第三图B分别是平面图和纵剖面图,根据本发明之实施例,展示了真空操作设备,此设备是用来制造半导体装置;而第四图为一表格,举例说明各个操作之操作条件,此部分的设定在第二图里的控制部。 |
