| 主权项 |
1.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一第一导电性电极;一氮化铟镓发光层,具有一第一主要表面与一第二主要表面;一第一导电性束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第一主要表面结合;一第二导电性束缚层,其与该氮化铟镓发光层之该第二主要表面结合;一ZnSe光转换层,具有一第一主要表面与一第二主要表面;以及一第二导电性电极,其中自该第二导电性电极流至该第一导电性电极之电流,依序通过该第二导电性束缚层、该氮化铟镓发光层、及该第一导电性束缚层,使该氮化铟镓发光层发出第一波长范围之光线,此第一波长范围之光线中有一部份射入该ZnSe光转换层中,由该ZnSe光转换层转换成第二波长范围之光线。2.依申请专利范围第1项之一种具有化合物半导体光转换属之混光式发光二极体构造,其中该第一波长范围之光线为蓝光,该第二波长范围之光线为黄光。3.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一透明基板,且具有一第一主要表面与一第二主要表面;一氮化铟镓系发光层,形成于该透明基板之第二主要表面上方;以及一ZnSe光转换层,结合于该透明基板之第一主要表面。4.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一透明基板,且具有一第一主要表面与一第二主要表面;一第一导电性束缚层,形成于该透明基板之该第二主要表面上方,且具有一第一上表面部份与一第二上表面部份;一氮化铟镓系发光层,形成于该第一导电性束缚层之第一上表面部份上方;一第二导电性束缚层,形成于该氮化铟镓发光层上方;一第二导电性氮化镓系接触层,形成于该第二导电性束缚层上方;一第二导电性电极,形成于该第二导电性氮化镓接触层上;一第一导电性电极,形成于该第一导电性束缚层之该第二上表面部份上方;以及一ZnSe光转换层,结合于该透明基板之第一主要表面。5.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一透明基板,且具有一第一主要表面与一第二主要表面;一氮化镓系长晶层,形成于该透明基板之该第二主要表面上方;一第一导电性束缚层,形成于该氮化镓系长晶层上方,且具有一第一上表面部份与一第二上表面部份;一氮化铟镓发光层,形成于该第一导电性束缚层之第一上表面部份上方;一第二导电性束缚层,形成于该氮化铟镓发光层上方;一第二导电性氮化镓系接触层,形成于该第二导电性束缚层上方;一第二导电性电极,形成于该第二导电性氮化镓接触层上;一第一导电性电极,形成于该第一导电性束缚层之该第二上表面部份上方;以及一ZnSe光转换层,结合于该透明基板之第一主要表面。6.依申请专利范围第5项之一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,其中该透明基板包含选自于蓝宝石、SiC、LiGaO2.及LiAlO2所构成材料群组中的一种材料。7.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一透明导电基板,具有一第一主要表面与一第二主要表面;一第一导电性束缚层,形成于该透明导电基板之该第二主要表面上方;一氮化铟镓发光层,形成于该第一导电性束缚层上方;一第二导电性束缚层,形成于该氮化铟镓发光层上方;一第二导电性氮化镓系接触层,形成于该第二导电性束缚层上方;一第二导电性电极,形成于该第二导电性氮化镓接触层上方;一ZnSe光转换层,具有一第一主要表面与一第二主要表面,且其第二主要表面结合于该透明导电基板之第一主要表面;以及一第一导电性电极,结合于该ZnSe光转换层之第一主要表面。8.一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,包含:一透明导电基板,具有一第一主要表面与一第二主要表面;一氮化镓系长晶层,形成于该透明导电基板之该第二主要表面上方;一第一导电性束缚层,形成于该氮化镓系长晶层上方;一氮化铟镓发光层,形成于该第一导电性束缚层上方;一第二导电性束缚层,形成于该氮化铟镓发光层上方;一第二导电性氮化镓系接触层,形成于该第二导电性束缚层上方;一第二导电性电极,形成于该第二导电性氮化镓接触层上方;一ZnSe光转换层,具有一第一主要表面与一第二主要表面,且其第二主要表面结合于该透明导电基板之第一主要表面;以及一第一导电性电极,结合于该ZnSe光转换层之第一主要表面。9.依申请专利范围第8项之一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造,其中该透明基板包含选自于GaN、及SiC所构成材料群组中的一种材料。图式简单说明:第一图显示依本发明一较佳实施例之一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造;第二图显示依本发明另一较佳实施例之一种具有化合物半导体光转换层之混光式发光二极体构造。 |
