| 主权项 |
1.一种高Q之RF元件之制造方法包括:(a)在基底上沈积一导电条,其步骤包括:(i)在该基底上施加一导电金属糊以及(ii)烘烤该导电金属糊以形成导电条,该导电条的边界为边缘E1与边缘E2,量测边缘E1与边缘E2间的宽度,部分的宽度为W1,其它部分的宽度为W2,其中W1不等于W2,(b)在该导电条上成形金属整饰条,该金属整饰条的宽度为W3,其中W3>W1以及>W2,且其中该金属整饰条的宽度延伸超过边缘E1与边缘E2。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该导电条的厚度范围为10-250微米。3.如申请专利范围第2项的方法,其中该金属整饰条的厚度范围为1-50微米。4.如申请专利范围第1项的方法,其中该导电金属糊选用自铜、银、金、钨糊。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该金属整饰条选用自铜、银、金、铝、氮化钛、氮化钽及钽。6.如申请专利范围第1项的方法,其中成形该金属整饰条的步骤:(c)在该导电条及该基底的表面上沈积一金属层,(d)选择性地部分去除该金属层以形成该金属整饰条。7.如申请专利范围第6项的方法,其中选择性地部分去除该金属层是使用光学制版法。8.一种高Q之RF元件之制造方法,包括:(a)在一基底上沈积沈积一导电条,其步骤包括:(i)在该基底上施加一导电金属糊以及(ii)烘烤该导电金属糊以形成导电条,该导电条的边界为边缘E1与边缘E2,量测边缘E1与边缘E2间的宽度,部分宽度为W1,其它部分的宽度为W2,其中W1不等于W2,(b)成形第一金属整饰条以覆盖该导电条的边缘E1,以及第二金属整饰条以覆盖该导电条的边缘E2。9.如申请专利范围第8项的方法,其中该导电条的厚度范围为10-250微米。10.如申请专利范围第9项的方法,其中该金属整饰条的厚度范围为1-50微米。11.如申请专利范围第8项的方法,其中该导电金属糊选用自铜、银、金、钨糊。12.如申请专利范围第11项的方法,其中该金属整饰条选用自铜、银、金、铝、氮化钛、氮化钽及钽。13.如申请专利范围第8项的方法,其中成形该金属整饰条的步骤:(c)在该导电条及该基底的表面上沈积一金属层,(d)选择性地部分去除该金属层以形成该金属整饰条。14.如申请专利范围第13项的方法,其中选择性地部分去除该金属层是使用光学制版法。图式简单说明:第一图-第三图是使用厚膜法制造条状导体之方法步骤的示意图;第四图是使用第一图-第三图之厚膜法所制造之一批条状导体的平面图;第五图-第七图说明本发明的一实施例;第八图以本发明的方法所制造之成品的平面图;第九图及第十图说明本发明的另一实施例,与第六图及第七图类似;以及第十一图显示描述本发明的特征尺寸。 |
