| 摘要 |
本发明之目的是提供半导体装置之制造方法和半导体装置,其中具备有氮化矽膜之制造工程可以使维护频度变小和可以抑制或防止粒子之发生。本发明之解决手段是以双特丁基氨基硅烷和NH3做为原料气体使其流到石英反应容器内,利用热CVD法使氮化矽膜形成在被设于该石英反应容器内之半导体晶圆上,此种工程重复进行指定之次数后,使NF3气体流到石英反应容器内,用来除去形成在石英反应容器内之氮化矽,然后再度以双特丁基氨基硅烷和NH3作为原料气体使其流动到石英反应容器内,利用热CVD法使氮化矽膜形成在被设于石英反应容器内之半导体晶圆上,使此种工程重复进行指定之次数。 |
| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征是具有:第1工程,以双特丁基氨基硅烷和NH3作为原料气体使其流到反应容器内,利用热CVD法使氮化矽膜形成在被设于该反应容器内之被成膜体上;和第2工程,使NF3气体流到该反应容器内,用来除去形成在该反应容器内之氮化矽。2.如申请专利范围第1项之半导体装置之制造方法,其中在该第2工程之后更具备有第1工程。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中在使该第1工程重复进行指定之次数后,使NF3气体流到该反应容器内,用来除去该形成在反应容器内之氮化矽。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中形成在该反应容器内之该氮化矽,在成为指定之膜厚之前,使NF3气体流到该反应容器内,用来除去该形成在反应容器内之氮化矽。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中形成在该反应容器内之该氮化矽,在该被成膜体上发生有粒子之厚度之前,使NF3气体流到该反应容器内,用来除去该形成在该反应容器内之氮化矽。6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中该反应容器本身由石英构成,及/或在该反应容器内部使用以石英构成之构件,形成在该石英上之该氮化矽,在成为被成膜体上发生有粒子之厚度之前,使NF3气体流到该反应容器内,用来除去该形成在石英上之氮化矽。在此种情况最好是在氮化矽膜之膜厚成为比4000厚之前,利用NF3气体进行除去。7.如申请专利范围第6项之半导体装置之制造方法,其中进行该第2工程时使该反应容器内之压力成为10Torr以上。8.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中在该第1工程之前后之至少任一方,更具备有以NH3气体冲洗该反应容器内所用之工程。9.一种半导体制造装置,以双特丁基氨基硅烷和NH3作为原料气体使其流到反应容器内,利用热CVD法使氮化矽膜形成在被设于该反应容器内之半导体晶圆上;其特征是:使NF3气体流到该反应容器内,用来除去该形成在反应容器内之氮化矽。图式简单说明:第一图是概略剖面图,用来说明本发明之一实施形态所使用之纵型LPCVD成膜装置。第二图是概略图,用来说明适于使用在本发明之一实施形态所用之成膜装置之BTBAS供给装置。第三图是概略图,用来说明适于使用在本发明之一实施形态所用之成膜装置之BTBAS供给装置。第四图表示以BTBAS和NH3作为原料气体所形成之Si3N4膜之膜吸收率。第五图表示以BTBAS和NH3作为原料气体所形成之Si3N4膜之膜应力。第六图用来说明利用BTBAS和NH3作为原料气体所形成Si3N4膜之利用NF3之选择蚀刻性。第七图用来说明利用BTBAS和NH3作为原料气体所形成之Si3N4每成膜3000时实施NF3清洁之连续成膜之状况。 |
