| 主权项 |
1.一种光罩的制作方法,该方法包含有:提供一积体电路(integrated circuits)布局资料库(layoutdata base),该布局资料库包含有N离子布植区域资料、P离子布植区域资料、已定义(defined)多晶矽层布局资料、N型井(N well)布局资料、以及自行对准金属矽化物阻挡层(salicide block, SAB)布局资料;读取(read in)该布局资料库,并进行一逻辑运算(logical operation),以得到一运算结果,该运算结果包含有至少一组N+多晶矽电阻(N+ poly resist)元件于一N型井区域中之布局资料、至少一组P+多晶矽电阻(P+ poly resist)元件于一 P型井区域中之布局资料、以及至少 一组N型井(N well)布局资料;以及利用该逻辑运算结果形成该光罩;其中该光罩系用于一微影制程(photolithographicprocess)中,以转移该光罩上之图案(layout pattern)至一欲进行N篱子布植之多晶矽层(polysilicon layer)上方之光阻层中。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该光罩系为一2.5N+多晶矽层离子布植光罩(N+polysilicon implantation mask)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该多晶矽层系植入磷原子。4.如申请专利范围第1项之方法,其中在求出该N+多晶矽电阻元件于N型井区域中之布局资料以及P+多晶矽电阻元件于P型井区域中之布局资料后,需再加一预定位移値(displacement),以降低该微影制程中之对准误差(misalignment)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定位移値系介于0.3至0.5微米。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该逻辑运算结果另包含有一N+多晶矽层离子布植布局资料(N+ polysiliconimplantation layout data)。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该N+多晶矽层离子布植布局资料系利用该N型井(N well)布局资料、该N+多晶矽电阻元件于N型井区域中之布局资料以及该P+多晶矽电阻元件于P型井区域中之布局资料所计算出来。8.一种光罩的制作方法,该方法包含有:提供一积体电路布局资料库,该布局资料库包含有N+离子布植区域布局、P离子布植区域布局、已定义多晶矽层布局、N型井(N well)布局、以及自行对准金属矽化物阻挡层(SAB)布局;读取该布局资料库,并进行一逻辑运算,包含有:求出A,A=经N离子布植之已定义多晶矽层布局;求出B,B=符合A之条件,且由SAB所覆盖并落于N型井中之已定义多晶矽层布局;求出D,D=经P离子布植之已定义多晶矽层布局;求出E,E=符合D之条件,且由SAB所覆盖并落于N型井中之已定义多晶矽层布局;以及求出F,F=符合D之条件,且由SAB所覆盖并落于P型井中之已定义多晶矽层布局;利用B、F以及N型井布局,以获得一N+多晶矽层离子布植布局;以及利用该N+多晶矽层离子布植布局形成该光罩;其中该光罩系用于一微影制程中,以转移该光罩上之图案至一欲进行N离子布値之多晶矽层上方之光阻层中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该光罩系为一2.5N+多晶矽层离子布植光罩。10.如申请专利范围第8项之方法,其中该多晶矽层系植入磷原子。11.如申请专利范围第8项之方法,其中在求出B以及F之后,需再加一预定位移値,以降低该微影制程中之对准误差。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该预定位移値系介于0.3至0.5微米。13.如申请专利范围第8项之方法,其中A系利用该N离子布植区域布局与该已定义多晶矽层布局重叠所得结果。14.如申请专利范围第8项之方法,其中B系利用A与该金属矽化物阻挡层(SAB)布局以及该N型井(N well)布局重叠所得结果。15.如申请专利范围第8项之方法,其中D系利用该P离子布植区域布局与该已定义多晶矽层布局重叠所得结果。16.如申请专利范围第8项之方法,其中E系利用D与该N型井(N well)布局重叠所得结果。17.如申请专利范围第8项之方法,其中F系利用{D-E}与该金属矽化物阻挡层(SAB)布局重叠所得结果。18.如申请专利范围第8项之方法,其中该光阻层系为一正光阻所构成。图式简单说明:第一图为本发明N+多晶矽层离子布植光罩的制作方法的流程图。第二图为本发明经逻辑运算后产生之新的光阻布局图案之部份放大示意图。第三图为第二图中之光阻布局图案在经过一位移调整之后的示意图。 |
