| 主权项 |
1.一种用于反应腔体中之晶圆支撑设备,至少包含:一晶圆座,具有一圆周边缘;及一净气环,环绕地设置于该晶圆座之外圆周,该净气环具有复数个开口,环绕地设置于该净气环之内圆周,该复数个开口系位于靠近该晶圆座之圆周边缘。2.如申请专利范围第1项所述之设备,更包含:一环缘组件,位于该净气环之上。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述环缘组件与上述净气环之外缘接触。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述晶圆座之部份、上述净气环以及上述环缘组件更同定义出至少一个通道,用以导引净化气体沿着上述晶圆座之圆周边缘流动。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述晶圆座更包含一嵌入式加热元件。6.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述环缘组件系维持于一低于上述晶圆座之温度的温度。7.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述环缘组件至少包含:一顶环,具有一内部、一水平面以及一向下设置之垂直部份;一底环,大致成平坦之环状,具有一内部;一中环,大致成平坦之环状,设置于该顶环与该底环之间;及一扣件,穿过该顶环、该中环以及该底环中之开口。8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述环缘组件系设置于复数个净气环上之隔柱上,以便于上述底环与上述净气环间形成一通道,上述顶环之向下设置之垂直部份大致上外切于上述净气环以及上述晶圆座之外圆周。9.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述中环及上述底环系由低导热性材质所制成。10.如申请专利范围第9项所述之设备,其中上述低导热性材质系不锈钢。11.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述顶环具有一粗糙表面。12.一种用于半导体晶圆处理系统之环缘组件,至少包含:一顶环,具有一内部、一水平面以及一向下设置之垂直部份;一底环,大致成平坦之环状,具有一内部;一中环,大致成平坦之环状,设置于该顶环与该底环之间;及一扣件,穿过该顶环、该中环以及该底环中之开口。13.如申请专利范围第12项所述之环缘组件,其中上述中环及上述底环系由低导热性材质所制成。14.如申请专利范围第13项所述之环缘组件,其中上述低导热性材质系不锈钢。15.如申请专利范围第14项所述之环缘组件,其中上述顶环具有一粗糙表面。16.一种以热分解金属-有机化合物来沉积氮化钛于基板上之设备,至少包含:一晶圆座,具有一圆周边缘以及一嵌入式加热元件;一喷气头,隔离于该晶圆座;一净气环,附着于该晶圆座之圆周,该净气环具有一邻近该晶圆座之圆周边缘的通道;一净化气体供应源,耦合于该净气环中之通道;及一环缘组件,位于该净气环之上,以便形成一通道,该通道位于该环缘组件与该净气环之间,该通道可使净化气体通过并朝向该晶圆座之圆周边缘流动。17.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述环缘组件与上述净气环之外缘接触。18.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述环缘组件系维持于一低于上述晶圆座之温度的温度。19.如申请专利范围第16项所述之设备,其中上述环缘组件至少包含:一顶环,具有一内部、一水平面以及一向下设置之垂直部份;一底环,大致成平坦之环状,具有一内部;一中环,大致成平坦之环状,设置于该顶环与该底环之间;及一扣件,穿过该顶环、该中环以及该底环中之开口。20.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述环缘组件系设置于复数个净气环上之隔柱上 以便于上述底环与上述净气环间形成一通道,上述顶环之向下设置之垂直部份大致上外切于上述净气环以及上述晶圆座之外圆周。21.如申请专利范围第20项所述之设备,其中上述中环及上述底环系由低导热性材质所制成。22.如申请专利范围第21项所述之设备,其中上述低导热性材质系不锈钢。23.如申请专利范围第19项所述之设备,其中上述顶环具有一粗糙表面。图式简单说明:第一图系一包含本发明之半导体处理系统的示意图。第二图a系本发明之一净化加热器的立体图。第二图b系第二图a之净化加热器及环缘组件之部份剖面图。第二图c系第二图b环缘组件与净化加热器的延长图。 |
