| 主权项 |
1.一种衣领状氧化矽层之形成方法,其系应用于一深沟槽电容之制作过程中,本方法包含下列步骤:提供一基板;于该基板上形成一深沟槽(deep trench)构造;于该深沟槽(deep trench)构造内底部依序形成一薄绝缘层以及一导体层;将其上已形成该深沟槽(deep trench)构造、该薄绝缘层以及该导体层之该基板送入一多用途机台中,并于一第一特定温度范围内对该基板进行一氧化制程(oxidation);于该多用途机台中以及一第二特定温度范围内,在具有该深沟槽(deep trench)构造之该基板表面形成一氧化矽层(oxide);于该多用途机台中以及一第三特定温度范围内,对该氧化矽层(oxide)进行一回火制程(anneal),用以改善该氧化矽层(oxide)之品质后,再将该基板移出该多用途机台;以及对该氧化矽层进行一非等向性蚀刻,用以回蚀出位于该深沟槽(deep trench)构造内之一衣领状氧化矽层(collar oxide)。2.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其应用其上所制作完成之该深沟槽电容系为一动态记忆体(DRAM)中之电容元件。3.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其间于该深沟槽(deep trench)构造内底部所形成之该薄绝缘层系由一氧化矽层与一氮化矽层所组合完成。4.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其间于该深沟槽(deep trench)构造内底部所形成之该导体层系由一多晶矽凹陷层(polysilicon recess)所完成。5.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中所使用之该多用途机台系为一多用途炉管(furnace)。6.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中该第一特定温度范围系为于摄氏85050℃之间。7.如申请专利范围第6项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中该氧化制程(oxidation)系于通有氧气与氮气之该多用途机台中进行。8.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中该第二特定温度范围系为于摄氏70050℃之间。9.如申请专利范围第8项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中形成该氧化矽层(oxide)之方法系为以氧气(O2)/四乙基邻矽酸盐(Tetra-Ethyl-Ortho-Silicate, TEOS)为反应物,进行一低压化学气相沈积(LPCVD)以于该基板以及该深沟槽(deep trench)构造之表面形成该氧化矽层。10.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中该第二特定温度范围系为于摄氏90050℃之间。11.如申请专利范围第9项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中对该衣领状氧化矽层(collar oxide)所进行之该回火制程(anneal)系于通有氮气之该多用途机台中进行。12.如申请专利范围第1项所述之衣领状氧化矽层之形成方法,其中该基板系为一矽基板。图式简单说明:第一图(a)(b)(c):其系为深沟槽电容(deep trenchcapacitor)制作过程中部份步骤之示意图。第二图(a)(b)(c):其系为本案实施例应用于深沟槽电容(deep trench capacitor)制作过程中部份步骤之示意图。第三图:其系为本案将氧化制程(oxidation)、用以形成氧化矽层24之低压化学气相沈积制程(LPCVD)以及该回火制程(anneal)于同一多用途炉管(furnace)中完成之配方(recipe)、温度流程示意图。 |
