| 主权项 |
1.一种用以藉气体-固体反应而移除沉积物的气体,其特征在于该气体包含次氟酸物(hypofluorite),其中,该次氟酸物定义为分子中至少有一个OF基团的化合物,可以视所需地有至少一者选自包括卤素原子、醚基、醇基、羰基、羧基、酯基、胺基和醯胺基;以及该沉积物选自B、P、W、Si、Ti、Nb、Ta、Se、Mo、Re、Ru、Ir、Ge、Au、Ag、As和Cr及这些元素的氧化物、氮化物、碳化物和合金。2.如申请专利范围第1项之气体,其中,该次氟酸物选自CF3OF、CF2(OF)2.CF3CF2OF、CH3COOF、(CF3)3COF、CF2HCF2OF、(CF3CF2)(CF3)2COF、CH3OF、CFH2OF、CF2HOF、CF3CF2CF2OF和(CF3)2CFOF。3.如申请专利范围第1项之气体,其中,另包含惰性气体。4.如申请专利范围第1项之气体,其中,该气体是用以实质上完全移除该沉积物的清洁用气体,该清洁用气体包含1-100体积%的该次氟酸物。5.如申请专利范围第4项之气体,其中,该清洁用气体另包含至少一种气体组份,选自包括氧和含氧气体。6.如申请专利范围第5项之气体,其中,该至少一种气体组份的量是以该至少一种气体组份和该次氟化物总体积计之0.4至90体积%。7.如申请专利范围第5项之气体,其中,该含氧气体是CO2.CO、NO、NO2和N2O。8.如申请专利范围第4项之气体,其中,该清洁用气体温度由10至700℃。9.如申请专利范围第4项之气体,其中,用于无电浆的清洁程序中时,该清洁用气体的压力是(第一种压力)0.1至760托耳,或者,用于电浆辅助的清洁程序中时,压力(第二种压力)是1毫托耳至10托耳。10.如申请专利范围第1项之气体,其中,该气体是用以移除该沉积物之所不欲部分的蚀刻用气体。11.如申请专利范围第10项之气体,其中,该蚀刻用气体另包含至少一种选自氢和含氢气体的第一种气体组份。12.如申请专利范围第11项之气体,其中,该含氢气体是CH4.NH3.HI、HBr、C2H2和HCl。13.如申请专利范围第11项之气体,其中,该次氟酸物与该至少一种第一种气体组份之间的体积比至少1:10。14.如申请专利范围第10项之气体,其中,该蚀刻用气体另包含至少一种第二种气体组份选自氧和含氧气体。15.如申请专利范围第14项之气体,其中,该含氧气体是CO、NO、NO2和N2O。16.如申请专利范围第14项之气体,其中,该次氟酸物与该至少一种第二种气体组份之间的体积比至少1:4。17.如申请专利范围第10项之气体,其中,该气体的压力由0.001托耳至5托耳。18.如申请专利范围第10项之气体,其中,该气体的温度不超过400℃。19.一种藉气体来移除沉积物的方法,该方法的步骤包含:(a)使该气体与该沉积物接触,藉此利用气体一固体反应而移除该沉积物,其中,该气体包含次氟酸物,其中,该气体是用以实质上完全移除该沉积物的清洁用气体,且该清洁用气体包含1-100体积%的该次氟酸物,或者该气体是用以移除该沈积物之所不欲部分的蚀刻用气体。20.如申请专利范围第19项之方法,其中,该清洁用气体另包含至少一种选自包括氧和含氧气体的气体组份。21.如申请专利范围第20项之方法,其中,该至少一种气体组份的量是以该至少一种气体组份和该次氟酸物总体积计之0.4至90体积%。22.如申请专利范围第20项之方法,其中,该含氧气体是CO2.CO、NO、NO2和N2O。23.如申请专利范围第19项之方法,其中,步骤(a)的实施温度由10至700℃。24.如申请专利范围第19项之方法,其中,用于无电浆的清洁程序中时,步骤(a)的实施压力(第一种压力)是0.1至760托耳,或者,用于电浆辅助的清洁程序中时,步骤(a)的实施压力(第二种压力)是1毫托耳至10托耳。25.如申请专利范围第19项之方法,其中,该蚀刻用气体另包含至少一种选自氢和含氢气体的第一种气体组份。26.如申请专利范围第25项之方法,其中,该含氢气体是CH4.NH3.HI、HBr、C2H2和HCl。27.如申请专利范围第25项之方法,其中,步骤(a)是在该次氟酸物与该少一种第一种气体组份之间的流率比调整至至少1:10的情况下进行。28.如申请专利范围第19项之方法,其中,该蚀刻用气体另包含至少一种选自氧和含氧气体的第二种气体组份。29.如申请专利范围第28项之方法,其中,该含氧气体是CO、NO、NO2和N2O。30.如申请专利范围第28项之方法,其中,该步骤(a)是在该次氟酸物与该至少一种第二种气体组份之间的流率比调整至至少1:4的情况下进行。31.如申请专利范围第19项之方法,其中,该步骤(a)于压力由0.001托耳至5托耳的情况下进行。32.如申请专利范围第19项之方法,其中,该步骤(a)于温度不超过400℃的情况下进行。33.如申请专利范围第19项之方法,其中,该步骤(a)中的该蚀刻用气体流率由10至10,000标准立方公分/分钟。图式简单说明:第一图是部分截面图,显示用于下述实例1-3和比较例1的多层构造,其为使用蚀刻用气体蚀刻SiO2绝缘膜之前的结构。第二图与第一图类似,但所示者是蚀刻之后的多层结构。 |
