| 主权项 |
1.一种闸阀,包含:(a)一板件;(b)密封机构,连接于该板件;及(c)一壳体,包含一通道及围绕该通道的一密封表面,该板件连接于该壳体成为使得在操作时,该板件占据可在该密封机构将该板件密封抵靠该密封表面的一密封位置与该板件不占据该通道的一退回位置之间选择的一位置,并且进一步使得在操作时,该板件在不旋转之下在该密封位置与该退回位置之间平移。2.如申请专利范围第1项所述的闸阀,其中该密封机构包含一O形环。3.如申请专利范围第1项所述的闸阀,另外包含一板件轴,其中在操作时,该板件在该退回位置与该密封位置之间平移通过该板件轴。4.如申请专利范围第3项所述的闸阀,其中该通道包含一第一矩形截面,并且该板件轴包含一第二矩形截面。5.如申请专利范围第4项所述的闸阀,其中该板件包含尺寸被定为可平移通过该板件轴的一矩形形状。6.如申请专利范围第5项所述的闸阀,其中该通道的该第一截面包含充分的空间供一半导体基板及一基板处理机构自由行进。7.如申请专利范围第1项所述的闸阀,另外包含板件移动机构,用来在该密封位置与该退回位置之间移动该板件。8.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一对杆件,其形成为拉动该板件抵靠该密封表面以将该板件定位于该密封位置,形成为推动该板件离开该密封表面以将该板件定位于该退回位置,并且形成为对于在该退回位置的该板件容许一工件进出通过该通道。9.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一杆件,其形成为推动该板件抵靠该密封表面以将该板件定位于该密封位置,并且形成为拉动该板件离开该密封表面以将该板件定位于该退回位置。10.如申请专利范围第9项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一压力缸筒,并且该压力缸筒被致动以推动该板件抵靠该密封表面。11.如申请专利范围第10项所述的闸阀,其中该板件密封一处理空穴成为与大气隔离,并且一处理流体依序加压该压力缸筒。然后加压该压力空穴。12.如申请专利范围第10项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含用来使该板件返回该退回位置的一弹簧。13.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一压力缸筒。14.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一弹簧。15.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构包含一电马达。16.如申请专利范围第7项所述的闸阀,其中该板件移动机构利用电磁感应力。17.一种闸阀,包含:(a)一板件;(b)密封机构,连接于该板件;(c)一压力缸筒,连接于该板件;(d)一壳体,包含一通道及围绕该通道的一密封表面,该压力缸筒连接于该壳体成为使得在操作时,该压力缸筒将该板件定位于可在该密封机构将该板件密封抵靠该密封表面的一密封位置与该板件不占据该通道的一退回位置之间选择的一位置,并且进一步使得在操作时,该压力缸筒在该板件不旋转之下在该密封位置与该退回位置之间平移该板件;及(e)致动机构,用来致动该压力缸筒,该致动机构包含一处理流体,使得在操作时,该处理流体依序加压该压力缸筒以将该板件定位于该密封位置,然后加压一处理空穴。18.一种密封至高压处理空穴的工件入口的方法,包含以下步骤:(a)将一板件在不旋转下从一退回位置平移通过至一密封位置;(b)将在该密封位置的该板件压抵于环绕该工件入口的一密封表面;及(c)加压该高压处理空穴。19.如申请专利范围第18项所述的方法,其中平移该板件及压该板件的步骤包含以一处理气体来加压一压力缸筒,并且加压该高压处理空穴的步骤包含以该处理气体来加压该高压处理空穴。图式简单说明:第一图显示本发明的较佳闸阀。第二图显示结合成为半导体晶圆用的超临界处理室的一部份的本发明的较佳闸阀。第三图A及第三图B显示结合成为半导体晶圆用的另一超临界处理室的一部份的本发明的另一闸阀。 |
