| 主权项 |
1.一种湿式处理具有含铜表面之电子元件之方法,其包括:(a)将电子元件之表面与铜氧化溶液接触历第一接触时间;及(b)随后将电子元件表面与蚀刻溶液接触历第二接触时间,其中蚀刻溶液保持于含水之pH値等于或小于5并包括蚀刻试剂及少于5,000ppb的溶氧或悬浮氧,且其中将电子元件表面与铜氧化溶液及蚀刻试剂接触可从电子元件表面去除污染物。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中铜氧化溶液包括氧化试剂,其为选自由过氧化氢、臭氧、氰化铁及其组合所组成之族群中。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中氧化试剂为选择自过氧化氢、臭氧,及其组合所组成之族群中。4.根据申请专利范围第3项之方法,其中铜氧化溶液包括水,至少约0.1体积%之过氧化氢(以铜氧化溶液之体积为基准),并保持在pH为7或更大。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中铜氧化溶液包括水,过氧化氢,和氢氧化铵。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中存在于铜氧化溶液中的水、过氧化氢和氢氧化铵之体积比例系H2O:H2O2:NH4OH为约5:1:1至约200:1:1。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻试剂为选自由氢氯酸、硫酸、氢氟酸、磷酸、醋酸、柠檬酸、酒石酸及其组合所组成之族群中。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻溶液为含氢氟酸之溶液,其包括氢氟酸和去离子水之体积比例为H2O:HF为约5:1至约1000:1。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中含氢氟酸之溶液系保持在pH为约3或更低。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中含氢氟酸之溶液进一步包括有氢氯酸,其H2O:HF:HCl之体积比例为约50:1:1至约1000:1:1。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中含氢氟酸之溶液包括有少于约100ppb的溶氧或悬浮氧。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中在电子元件与铜氧化溶液接触之后,且在电子元件与蚀刻溶液接触之前,将电子元件以含有去离子水之水洗溶液水洗。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中至少一铜氧化溶液或蚀刻溶液包括一界面活性剂,抗腐蚀剂,或其组合。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子元件系于一或多个容器中被湿式处理。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中电子元件系于单一容器中被处理。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中在电子元件与铜氧化溶液接触之后,铜氧化溶液直接被一水洗液体或该蚀刻溶液所置换。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中铜氧化溶液具有pH为至少约7或更大。18.一种湿式处理具有含铜表面之电子元件之方法,其包括:(a)将一或多个具有含铜表面之电子元件置于一单一容器中;(b)将容器充满有含氧化试剂的铜氧化溶液;(c)将电子元件与铜氧化溶液接触历一第一接触时间,并从该容器中移除铜氧化溶液;(d)将容器充满有一具有pH为5或更低且具有少于5000ppb溶氧或悬浮氧之含氢氟酸之溶液;及(e)将电子元件与含氢氟酸之溶液接触历一第二接触时间,并从该容器中移除含氢氟酸之溶液,其中将电子元件表面与铜氧化溶液及含氢氟酸之溶液接触可从电子元件表面去除污染物。19.根据申请专利范围第18项之方法,其中藉由使用另一处理流体的直接置换,将铜氧化溶液和含氢氟酸之溶液从该容器中移除。图式简单说明:第一图为柱状图,其显示具有含铜表面之电子元件在经由根据比较实施例1至4及实施例5之方法处理的粒子去除百分比。 |
