| 主权项 |
1.一种沟渠式电容器的分析方法,该方法适用于一晶片,该晶片包括一正面与一背面,且自该正面往该背面延伸之该晶片中已形成复数个沟渠电容器,并且该晶片已切割为复数个晶方;包括:以钻石膜研磨该晶方之背面,以减少该晶方一厚度;以环氧树脂将该晶方的正面固定于一载玻片上;以及以含有氢氧化钾之水溶液蚀刻该晶方之矽基底,使该些沟渠式电容器裸露出来。2.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该含有氢氧化钾之水溶液中所含的氢氧化钾,其重量百分比为6%至50%。3.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该含有氢氧化钾之水溶液的温度为摄氏25度至摄氏80度。4.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中以钻石膜研磨该晶方之背面,所减少之该晶方的厚度为20微米至100微米。5.如申请专利范围第1项所述之沟渠式电容器的分析方法,更包括:清洗该晶方;乾燥该晶方;将该些沟渠式电容器自该晶方剥离;以及以至少一第一仪器分析该些沟渠式电容器。6.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该第一仪器包括穿透式电子显微镜。7.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该第一仪器包括扫描式电子显微镜。8.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中清洗该晶方的溶液包括醇类化合物。9.如申请专利范围第8项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该醇类化合物包括甲醇。10.如申请专利范围第8项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该醇类化合物包括乙醇。11.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该晶方的乾燥方法系将该晶方置于烤箱烘烤,其烘烤该晶方的温度为摄氏100度至摄氏150度。12.如申请专利范围第5项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中将该些沟渠式电容器乾燥之后,自该晶方剥离之前,更包括以一第二仪器自该晶方之该背面分析该沟渠式电容器。13.如申请专利范围第12项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该第二仪器包括光学显微镜。14.如申请专利范围第12项所述之沟渠式电容器的分析方法,其中该第二仪器包括扫描式电子显微镜。图式简单说明:第一图A至第一图E系绘示习知沟渠式电容器的分析方法的示意图;第二图A至第二图C系相当于第一图A至第一图E其晶方中沟渠式电容器在分析过程中的示意图;第三图系绘示本发明之沟渠式电容器之分析方法的流程图;以及第四图A至第四图F系绘示本发明之沟渠式电容器之分析方法其元件的示意图。 |
