| 主权项 |
1.一种降低抛光期间铜并入单晶矽晶圆之方法,包含下列步骤:a)添加铜控制添加剂至含有铜之抛光混合物中,铜控制添加剂与抛光混合物中之铜反应,形成具有溶解度积(Ksp)少于约10-20之铜化合物;及b)其后当晶圆相对于抛光材料移动以抛光晶圆表面时,使晶圆表面与抛光材料及抛光混合物接触。2.如申请专利范围第1项之方法,其中铜控制添加剂包含选自包括磷酸根离子、硫离子、硒离子、及砷酸盐之阴离子,该阴离子与铜反应以形成铜化合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中铜控制添加剂系选自包括磷酸一氢钾、磷酸钾、硫化氢、硫化铵、硒化钾、磷酸一氢化铵。4.如申请专利范围第3项之方法,其中铜控制添加剂系磷酸一氢钾。5.如申请专利范围第3项之方法,其中铜控制添加剂为硫化氢。6.如申请专利范围第1项之方法,其中所形成之铜化合物选自包括磷酸铜(II)、硫化铜(II)、硒化铜(II)、及砷酸铜(II)。7.如申请专利范围第1项之方法,其中所形成之铜化合物具有溶解度积(Ksp)小于约10-23。8.如申请专利范围第7项之方法,其中所形成之铜化合物具有溶解度积(Ksp)小于约10-26。9.如申请专利范围第1项之方法,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量至少在化学计量上等于抛光混合物之铜含量。10.如申请专利范围第9项之方法,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量为抛光混合物铜含量之化学计量当量之至少约100倍。11.如申请专利范围第10项之方法,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量为抛光混合物铜含量之化学计量当量之至少约100至约10,000倍。12.如申请专利范围第1项之方法,其中在将铜控制添加剂添加至抛光混合物中后至少约24小时,才将晶圆表面抛光。13.一种抛光混合物,供用于将单晶矽晶圆抛光及降低抛光期间铜并入晶圆,该抛光混合物包含无机基底、胶态矽氧、及藉由使添加至抛光混合物之铜控制添加剂与抛光混合物中存在之铜反应所形成之具有溶解度积(Ksp)少于约10-20之铜化合物。14.如申请专利范围第13项之抛光混合物,其中铜控制添加剂包含选自包括磷酸根离子、硫离子、硒离子、及砷酸盐之阴离子,该阴离子与铜反应以形成铜化合物。15.如申请专利范围第13项之抛光混合物,其中铜控制添加剂系选自包括磷酸一氢钾、磷酸钾、硫化氢、硫化锌、硒化钾、磷酸一氢化。16.如申请专利范围第15项之抛光混合物,其中铜控制添加剂系磷酸一氢钾。17.如申请专利范围第15项之抛光混合物,其中铜控制添加剂为硫化氢。18.如申请专利范围第13项之抛光混合物,其中铜化合物选自包括磷酸铜(II)、硫化铜(II)、硒化铜(II)、及砷酸铜(II)。19.如申请专利范围第13项之抛光混合物,其中铜化合物具有溶解度积(Ksp)小于约10-23。20.如申请专利范围第19项之抛光混合物,其中铜化合物具有溶解度积(Ksp)小于约10-26。21.如申请专利范围第13项之抛光混合物,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量至少在化学计量上等于抛光混合物之铜含量。22.如申请专利范围第21项之抛光混合物,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量为抛光混合物铜含量之化学计量当量之至少约100倍。23.如申请专利范围第22项之抛光混合物,其中添加至抛光混合物之铜控制添加剂之量为抛光混合物铜含量之化学计量当量之至少约100至约10,000倍。图式简单说明:第一图为显示添加磷酸一氢钾至抛光混合物中以降低铜并入半导体单晶矽晶圆之效应之图;及第二图为显示添加硫化氢至抛光混合物中以降低铜并入半导体单晶矽晶圆之效应。 |
