| 主权项 |
1.一种半导体薄膜蒸镀装置,用以在密闭之一反应室内之晶圆进行蒸镀,包括:一承载器,位于该反应室内,以露出一反应面之方式容纳复数个晶圆;一气体供应装置,配置于面对该反应面之位置,用以供应一反应气体;一承载器驱动装置,以预定的圆周角来旋转该承载器,同时将该承载器移动到一反应位置与一非反应位置;一真空帮浦装置,用以对该反应室中之该反应气体保持一固定压力;以及一加热装置,用以将该反应面与该反应室中之至少其中一个以一预定的温度条件加热到一定温度。2.如申请专利范围第1项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该承载器包括复数个载盘,用以收容载置该些晶圆,以及一晶圆上升下降装置,以上升下降贯通区划空间方式,用以收容该些晶圆在该些载盘上。3.如申请专利范围第2项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中各该些载盘之边缘更形成具有固定厚度之一落差,用以防止所收容之该些晶圆摇晃。4.如申请专利范围第3项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该落差比名该些晶圆之直径小数毫米(mm)左右。5.如申请专利范围第3项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该载盘至少有两个以上。6.如申请专利范围第2项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该晶圆上升下降装置更包括:一升降板,位在该晶圆上升下降装置之最上端所形成之平板状结构;复数个晶圆接触脚,位于该升降板上之辐射方向的一侧,并且间隔约一预定的圆周角,用以与该晶圆接触;以及一上升下降驱动装置,与该升降板结合,用以控制该升降板之上升下降。7.如申请专利范围第1项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该气体供应装置,更包括:一气体喷射装置,配置于该反应室之上部,用以对承载于该承载器上之该些晶圆喷射该反应气体;以及一气体运送装置,用以将该反应气体输送到该气体喷射装置。8.如申请专利范围第7项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该气体运送装置更包括:一第一反应源储存槽,用以储存液体状态之一第一反应气体;一第一流入管,用以输送一惰性气体至该第一反应源储存槽;一第一流出管,用以输送出汽化的该第一反应气体,其系利用流入该第一反应源储存槽之该惰性气体而使该第一反应气体汽化;一第一分歧管,用以从该第一流入管直接连接到该第一流出管;一第二反应源储存槽,用以储存液体状态之一第二反应气体;一第二流入管,用以输送一惰性气体至该第二反应源储存槽;一第二流出管,用以输送出汽化的该第二反应气体,其系利用流入该第一反应源储存槽之该惰性气体而使该第二反应气体汽化;以及一第二分歧管,用以从该第二流入管直接连接到该第二流出管。9.如申请专利范围第8项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该第一流出管与该第二流出管分别分歧成一连接到该反应室之管线与一连接到一帮浦之管线;同时连接到一加热装置,用以加热该管内的温度。10.如申请专利范围第8项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该第一流出管与该第一反应源储存槽之间,该第一流出管与该反应室之间,该第二流出管与该第二反应源储存槽之间,该第二流出管与该反应室之间分别连接用以防止气体逆流之一单向阀,以及连接利用空气压力而动作的空气压力阀,而在该第一流出管与该帮浦之间与该第二流出管与该帮浦之间分别连接一油压阀,以控制调节油压。11.如申请专利范围第8项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中在该第一流入管与该第二流入管之流入口,与该第一流出管与该第二流出管之流出口连结一输送管,用以输送该反应气体。12.如申请专利范围第11项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中在该第一流出口或该第二流出口喷射出该反应气体的时间点系以互相交替方式来控制,从其中之一时点来看,只有其中一个反应气体喷射至该反应室中。13.如申请专利范围第11项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该当该第一流出口或该第二流出口位喷出该反应气体时,透过该第一分歧管或该第二分歧管,输入该惰性气体,以清洗该该第一流出口或该第二流出口。14.如申请专利范围第7项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该气体喷射装置与该气体运送装置之间,具有供应复数种反应气体之复数个供应管路。15.如申请专利范围第1项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该加热装置更包括一晶圆加热装置,其位在该承载器下方,用以将该晶圆加热至一固定温度;以及一反应室加热装置,位于该反应室之边缘,用以对该反应室内部加热到一固定温度。16.如申请专利范围第15项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该晶圆加热装置系由沿着该承载器之圆周面上配置之复数个卤素灯加热器所构成,且该些卤素灯加热器可分别独立控制。17.如申请专利范围第16项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中在该卤素灯加热器的邻近区域配置一惰性气体喷射装置,用以喷射多性气体以防止该卤素灯加热器被污染。18.如申请专利范围第15项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中在该反应室加热器之上部与侧面的其中一侧插入至少一个匣式加热器,对该反应室内部进行加热。19.如申请专利范围第1项所述之半导体薄膜蒸镀装置,更包括一隔板,形成于紧邻该反应室之一顶面用以防止与该反应气体产生反应而腐蚀该反应室,同时在该顶面与该隔板之间具有一隔离空间,以及一惰性气体喷射机具,用以喷射惰性气体于该隔离空间,以防止腐蚀该反应室之该顶面。<20.如申请专利范围第1项所述之半导体薄膜蒸镀装置,其中该真空帮浦装置更包括一一次排放孔,用以将该反应室中之气体一次排出;一二次排放孔,用以聚集并排出透过该一次排放孔所排出之气体;以及一主排放孔,用以聚集透过该二次排放孔所排出之气体,并由外部之一帮浦排放到外部。图式简单说明:第一图绘示一般薄膜蒸镀装置的架构概略图;第二图绘示本发明之薄膜蒸镀装置构造图;第三图a与第三图b绘示承载器之立体图与A-A截线之剖面图;第四图a绘示反应室周围的剖面图;第四图b绘示第四图a中B部分的放大图;第五图绘示反应室上部的平面图;第六图绘示承载器与晶圆之加热装置的平面图;第七图a绘示反应室之排放孔的横向剖面图;第七图b绘示反应室之排放孔的纵向剖面图;第八图绘示气体运送装置的管路配置图;以及第九图a与第九图b绘示气体喷射装置的底面与剖面图。 |
