| 主权项 |
1.一种非着陆制程,该制程系用来形成电性连接之一导线与一介层窗/接触窗,其中定义该导线时所需之一光罩图形系由一光学近接修正程序所产生,该光学近接修正程序包括下列步骤:定出对应该导线之一导线图形;定出该导线图形之一电性连接区;等向地放大该电性连接区,以得一放大区;从该放大区中扣除与该导线图形重叠的部分,并扣除超出该导线图形,且与邻近该导线图形之一导电层图形过于接近的部分,以得一扣除后区域;以及合并该扣除后区域与该导线图形,即得该光罩图形。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中从该放大区中扣除超出该导线图形且与该导电层图形过于接近的部分的方法,包括一设计规则检查(DRC),其系检查该导线图形与该导电层图形之间距,以作为扣除之依据。3.如申请专利范围第1项所述之制程,其中在该光学近接修正程序中,更包括在该导线图形末端加上光学近接修正角块(Serif)的步骤。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中形成该导线之方法包括先沈积一导电层,再定义该导电层。5.如申请专利范围第1项所述之制程,其中形成该导线之方法包括金属镶嵌法。6.一种非着陆制程之光学近接修正光罩图形的产生方法,该光罩图形系用来在该非着陆制程中定义一导线,且该导线系与一介层窗/接触窗电性连接,该方法包括下列步骤:定出对应该导线之一导线图形;定出该导线图形之一电性连接区;等向地放大该电性连接区以得一放大区;从该放大区中扣除与该导线图形重叠的部分,并扣除超出该导线图形,且与邻近该导线图形之一导电层图形过于接近的部分,以得一扣除后区域;以及合并该扣除后区域与该导线图形,以得该光学近接修正光罩图形。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中从该放大区中扣除超出该导线图形且与该导电层图形过于接近的部分的方法,包括一设计规则检查(DRC),其系检查该导线图形与该导电层图形之间距,以作为扣除之依据。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中更包括在该导线图形末端加上光学近接修正角块(Serif)的步骤。9.一种非着陆制程,其系用来形成电性连接之一导线与一介层窗/接触窗,其中形成该导线时所需之一光罩图形系由一光学近接修正程序所产生,该光学近接修正程序包括下列步骤:定出对应该导线之一导线图形;定出该导线图形之一电性连接区;朝该导线图形之外侧延伸该电性连接区,以得一放大区;从该放大区中扣除与该导线图形重叠的部分,并扣除超出该导线图形,且与邻近该导线图形之一导电层图形过于接近的部分,以得一扣除后区域;以及合并该扣除后区域与该导线图形,即得该光罩图形。10.如申请专利范围第9项所述之制程,其中该电性连接区系位于该导线图形之一直线部分,且该电性连接区之二延伸方向与该直线部分的走向垂直。11.如申请专利范围第9项所述之制程,其中该电性连接区系位于该导线图形之一转角,且该电性连接区之二延伸方向与该转角之两边的延伸方向相反。12.如申请专利范围第9项所述之制程,其中从该放大区中扣除超出该导线图形且与该导电层图形过于接近的部分的方法,包括一设计规则检查(DRC),其系检查该导线图形与该导电层图形之间距,以作为扣除之依据。13.如申请专利范围第9项所述之制程,其中在该光学近接修正程序中,更包括在该导线图形末端加上光学近接修正角块(Serif)的步骤。14.如申请专利范围第9项所述之制程,其中形成该导线之方法包括先沈积一导电层,再定义该导电层。15.如申请专利范围第9项所述之制程,其中形成该导线之方法包括金属镶嵌法。16.一种非着陆制程之光学近接修正光罩图形的产生方法,该光罩图形系用来在该非着陆制程中定义一导线,该导线系与一介层窗/接触窗电性连接,而该方法包括下列步骤:定出对应该导线之一导线图形;定出该导线图形之一电性连接区;朝该导线图形的外侧延伸该电性连接区,以得一放大区;从该放大区中扣除与该导线图形重叠的部分,并扣除超出该导线图形,且与邻近该导线图形之一导电层图形过于接近的部分,以得一扣除后区域;以及合并该扣除后区域与该导线图形,以得该光学近接修正光罩图形。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该电性连接区系位于该导线图形之一直线部分,且该电性连接区之二延伸方向与该直线部分的走向垂直。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该电性连接区系位于该导线图形之一转角,且该电性连接区之二延伸方向与该转角之两边的延伸方向相反。19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中从该放大区中扣除超出该导线图形且与该导电层图形过于接近的部分的方法,包括一设计规则检查(DRC),其系检查该导线图形与该导电层图形之间距,以作为扣除之依据。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中在该光学近接修正程序中,更包括在该导线图形末端加上光学近接修正角块(Serif)的步骤。图式简单说明:第一图A-第一图D所绘示为本发明第一实施例之非着陆制程中,光学近接修正光罩图形的产生过程;以及第二图A-第二图B所绘示为本发明第二实施例之非着陆制程中,光学近接修正光罩图形的产生过程。 |
