| 主权项 |
1.一种闸极的制造方法,包括:提供一基底;于该基底表面形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上形成一第一非晶矽层;于该第一非晶矽层上形成一多晶矽层;于该多晶矽层上形成一第二非晶矽层;以及定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层,以形成该闸极。2.如申请专利范围第1项所述之闸极的制造方法,于完成定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层后,更包括进行一高温制程,以使该第一和第二非晶矽层转为晶粒较小的多晶矽层。3.如申请专利范围第1项所述之闸极的制造方法,其中该第一非晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间,该多晶矽层的厚度约为1000埃至3000埃之间,该第二非晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间。4.如申请专利范围第1项所述之闸极的制造方法,更包括于定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层之前,植入一掺质。5.如申请专利范围第1项所述之闸极的制造方法,更包括于定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层之后,植入一掺质。6.一种导线的制造方法,包括:提供一基底;于该基底上形成一第一非晶矽层;于该第一非晶矽层上形成一多晶矽层;于该多晶矽层上形成一第二非晶矽层;以及定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层,以形成该导线。7.如申请专利范围第6项所述之导线的制造方法,于完成定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层后,更包括进行一高温制程。8.如申请专利范围第6项所述之导线的制造方法,其中该第一非晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间,该多晶矽层的厚度约为1000埃至3000埃之间,该第二非晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间。9.如申请专利范围第6项所述之导线的制造方法,更包括于定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层之前,植入一掺质。10.如申请专利范围第6项所述之导线的制造方法,更包括于定义该第一非晶矽层、该多晶矽层和该第二非晶矽层之后,植入一掺质。11.一种闸极的制造方法,包括:提供一基底;于该基底表面形成一闸极氧化层;于该闸极氧化层上形成一第一多晶矽层;于该第一多晶矽层上形成一第二多晶矽层;于该第二多晶矽层上形成一第三多晶矽层;以及定义该第一多晶矽层、该第二多晶矽层和该第三多晶矽层,以形成该闸极,其中该第二多晶矽层的晶粒大于该第一多晶矽层和该第三多晶矽层的晶粒。12.如申请专利范围第11项所述之闸极的制造方法,于完成定义该第一多晶矽层、该第二多晶矽层和该第三多晶矽层后,更包括进行一高温制程。13.如申请专利范围第11项所述之闸极的制造方法,其中该第一多晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间,该第二多晶矽层的厚度约为1000埃至3000埃之间,该第三多晶矽层的厚度约为50埃至300埃之间。14.如申请专利范围第11项所述之闸极的制造方法,更包括于定义该第一多晶矽层、该第二多晶矽层和该第三多晶矽层之前,植入一掺质。15.如申请专利范围第11项所述之闸极的制造方法,更包括于定义该第一多晶矽层、该第二多晶矽层和该第三多晶矽层之后,植入一掺质。图式简单说明:第一图A至第一图C系绘示根据本发明一较佳实施例之一种闸极的制造流程剖面图。 |
