| 主权项 |
1.一种连续铸造方法,其步骤为:经一潜掩式喷嘴之排放孔馈供熔融金属于一铸模中;及藉由包含一电磁制动规件建立一感应DC磁场于所馈供进入于铸模之熔融金属上之所述潜掩式喷嘴之排放孔之正上方,其特征为:感应DC磁场的主磁通部分从该潜掩式喷嘴排放孔至平行于熔融金属的排放方向之铸模的狭窄面分布;熔融金属流则散布于铸模的厚度方向;且通过此程序,熔融金属流的速度可降低,且熔融金属的上昇流乃被感应,如此含有物与气体泡沫可藉由惰性气体的浮力除去。2.如申请专利范围第1项之连续铸造方法,其中所述排放之熔融金属的35-40%系藉磁场上昇。3.如申请专利范围第1项之连续铸造方法,其中所述施加之磁场的磁通密度为1000-6000高斯。4.一种连续铸造之装置,包括:一铸模其中装有一潜掩式喷嘴,该潜掩式喷嘴具有一对排放孔导向于该铸模之狭窄面;及一电磁制动规件用以建立一位于所述潜掩式喷嘴的排放孔正上方之磁场于该铸模内,该电磁制动规件包含:一基架环绕于该铸模;分别设置于所述铸模两侧,而从该铸模宽广面附近突出之铁心,为了建立一感应DC磁场,其上绕有感应线圈;及一对电磁转达部连接于该铁心,自所述铁心突出至所述铸模之宽广面而保持某些距离,而且自该潜掩式喷嘴的排放孔正上方起向该铸模的狭窄面配置,如此从连接的铁心所产生的感应DC磁场的分布乃改变,且设置于平行熔融金属排放方向的熔融金属上。5.一种连续铸造之装置,包括:一控制机构,用以藉一在熔融金属上的磁场控制在该潜掩式喷嘴附近的非固化上昇熔融金属喷流;所述控制机构包含至少一对电磁转达部用以施加磁场;该电磁转达部平行于一熔融金属喷流方向(在该潜掩式喷嘴排放孔附近)配置;以及,该电磁转达部建立主磁通垂直于熔融金属喷流而且垂直于铸条铸造之拉引方向。6.如申请专利范围第5项之连续铸造装置,其中所述电磁转达部覆盖于最接近于该潜掩式喷嘴之熔融金属喷流正上方区域,在该区域中,惰性气体系呈活泼的状态。7.如申请专利范围第6项之连续铸造之装置,其中所述电磁转达部在惰性气体漂浮不活泼的区域(亦即在最接近该潜掩式喷嘴之熔融金属喷流正上方区域外)具有一任意的形状。8.如申请专利范围第5项之连续铸造之装置,其中所述磁场的磁通密度为1000-6000高斯。9.如申请专利范围第5项之连续铸造之装置,其中所述电磁转达部的配置角度变动范围在1至90度以内,藉此使其平行于该潜掩式喷嘴附近之熔融金属喷流。10.如申请专利范围第5项之连续铸造之装置,其中所述控制机构之动作范围在该等排放孔与该等狭窄面之间。11.一种连续铸造方法,其系使用申请专利范围第5项或第6项或7项或第8项或第9项或第10项之装置来铸造熔融金属者。图式简单说明:第一图为在传统铸模中熔融金属流动的说明图,第一图a为平面图,第一图b为侧面剖面图。第二图a、第二图b、与第二图c为传统连续铸造装置的构成说明图,其上装有各种电磁制动规件;第三图a与第三图b为有或无传统电磁制动规件时在铸模内熔融金属流动的说明图;第四图a-第四图c为本发明连续铸造装置构成的说明图,其中第四图a为平面图,第四图b为侧面剖面图,及第四图c为重要部分的透视图;第五图a与第五图b为本发明连续铸造装置构成另一实施例的说明图,其中第五图a为侧面剖面图,及第五图b为重要部分的透视图;第六图为连续铸装置的侧面剖面图,其中加入第二实施例中的电磁转达部分;第七图为本发明铸模中排放熔融金属流动情形的说明图;及第八图a与第八图b为本发明连续铸造装置在不同实施例中熔融金属流动情形的比较说明图。 |
