| 主权项 |
1.一种半导体装置,具备: 具有主表面之半导体基板, 形成于上述半导体基板上之导电区域, 以被覆上述导电区域之方式,形成于上述半导体基 板上之绝缘膜, 形成于上述绝缘膜中,露出上述导电区域的表面之 孔部,及 形成于上述孔部,与上述孔部之孔底处露出的导电 区域作电连接之导电体部;又, 至少在上述孔部之开口端附近,上述导电体部具有 与上述孔部的侧面不直接相接之部份者。2.如申 请专利范围第1项之半导体装置,其中该孔部处,开 口端部份系较内部之开口部份为狭窄者。3.如申 请专利范围第2项之半导体装置,其中该孔部之断 面形状为侧面内凹形或倒锥形者。4.如申请专利 范围第1项之半导体装置,其中该导电体部自上述 孔部之开口端以至上述孔部之孔底,具有与上述孔 部之侧面不直接相接之部份; 位于上述导电体部与孔部之侧面间的上述孔部之 底面上,形成有蚀刻性质与上述导电区域不同之一 定的层体。5.如申请专利范围第4项之半导体装置, 其中该导电区域包含多晶矽膜; 上述一定之层体包含金属矽化物层。6.如申请专 利范围第4项之半导体装置,其中该导电区域包含 多晶矽膜; 上述一定之层体包含矽氧化膜。7.一种半导体装 置,具备: 具有主表面之半导体基板, 形成于上述半导体基板上之导电区域, 以被覆上述导电区域之方式,形成于上述半导体基 板上之绝缘膜, 形成于上述绝缘膜中,露出上述导电区域的表面之 孔部,及 形成于上述孔部,与上述孔部之孔底处露出的导电 区域作电连接之导电体部;又, 上述导电体部具有: 第一导电层, 形成于该第一导电层上,与上述第一导电层蚀刻性 质不同之第二导电层;另, 上述第二导电层系以被覆上述孔部开口端之全面 的方式形成者。8.一种半导体装置之制造方法,包 括: 在半导体基板上形成导电区域之步骤, 以被覆上述导电区域之方式在上述半导体基板上 形成绝缘膜之步骤, 在上述绝缘膜中,形成露出上述导电区域之表面的 孔部之步骤, 在上述孔部,形成与上述孔部之孔底处露出的上述 导电区域作电连接的导电层之步骤,及 藉由对上述导电层蚀刻,而形成导电体部之步骤; 又, 上述形成导电体部之步骤,系使至少上述孔部开口 端侧面附近之上述导电层的蚀刻速度,较上述导电 层之其他部份的蚀刻速度为小,藉而使位于上述孔 部之孔底处的上述导电区域之表面不露出者。9. 如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法, 其中该形成上述导电层之步骤,包括: 形成在上述孔部侧面上之膜厚,较上述绝缘膜上面 上及上述孔部侧面上之膜厚为薄的第一导电层之 步骤,及 以被覆上述第一导电层之方式,形成与上述第一导 电层蚀刻性质不同的第二导电层之步骤;又, 上述形成导电体部之步骤,包括: 在上述第二导电层上,形成较上述孔部开口端之开 口径为小的屏罩材之步骤, 以上述屏罩材作为屏罩,对于上述第二导电层施以 各向异性蚀刻,而使位于上述绝缘膜上面上之第一 导电层的表面露出之步骤,及 以上述屏罩材作为屏罩,对于露出之上述第一导电 层施以各向异性蚀刻,藉而除去位于上述绝缘膜上 面上之上述第一导电层,并除去位于上述孔部侧面 与上述第二导电层之间的上述第一导电层之步骤 。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方 法,其中该形成上述孔部之步骤,包括令孔部之断 面形状成为侧面凹入形或倒锥形之步骤。11.如申 请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中 该形成上述孔部之步骤,包括令上述孔部之深宽比 为0.75以上之步骤。图式简单说明: 第一图系本发明第一实施形态半导体装置之制造 方法的一个步骤之断面图。 第二图系该第一实施形态中,第一图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第三图系该第一实施形态中,第二图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第四图系该第一实施形态中,第三图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第五图系该第一实施形态中,第四图步骤之平面图 。 第六图系该第一实施形态中,第四图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第七图系本发明第二实施形态半导体装置之制造 方法的一个步骤之断面图。 第八图系该第二实施形态中,第七图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第九图系该第二实施形态中,第八图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第十图系该第二实施形态中,第九图步骤后所进行 的步骤之断面图。 第十一图系本发明第三实施形态半导体装置之制 造方法的一个步骤之断面图。 第十二图系该第三实施形态中,第十一图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十三图系该第三实施形态中,第十二图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十四图系该第三实施形态中,第十三图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十五图系本发明第四实施形态半导体装置之制 造方法的一个步骤之断面图。 第十六图系该第四实施形态中,第十五图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十七图系该第四实施形态中,第十六图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十八图系该第四实施形态中,第十七图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第十九图系该第四实施形态中,第十八图步骤后所 进行的步骤之断面图。 第二十图系本发明第五实施形态半导体装置之制 造方法的一个步骤之断面图。 第二十一图系该第五实施形态中,第二十图步骤后 所进行的步骤之断面图。 第二十二图系该第五实施形态中,第二十一图步骤 后所进行的步骤之断面图。 第二十三图系该第五实施形态中,第二十二图步骤 后所进行的步骤之断面图。 第二十四图系本发明第六实施形态半导体装置之 制造方法的一个步骤之断面图。 第二十五图系该第六实施形态中,第二十四图步骤 后所进行的步骤之平面图。 第二十六图系该第六实施形态中,第二十四图步骤 后所进行的步骤之断面图。 第二十七图系该第六实施形态中,第二十六图步骤 后所进行的步骤之断面图。 第二十八图系本发明第七实施形态半导体装置之 制造方法的一个步骤之断面图。 第二十九图系该第七实施形态中,第二十八图步骤 后所进行的步骤之平面图。 第三十图系该第七实施形态中,第二十八图步骤后 所进行的步骤之断面图。 第三十一图系该第七实施形态中,第三十图步骤后 所进行的步骤之断面图。 第三十二图系习用半导体装置之制造方法的一个 步骤之断面图。 第三十三图系第三十二图步骤后所进行的步骤之 断面图。 第三十四图系第三十三图步骤后所进行的步骤之 断面图。 第三十五图系习用半导体装置之制造方法的问题 点说明用之断面图。 |
