| 主权项 |
1.一种结合旋转涂布之化学机械研磨法,包括下列 步骤: 提供一基底,该基底上设有一表面高低起伏之元件 ; 在该元件上设一牺牲层; 在该牺牲层上设一旋涂材料层,该旋涂材料层的材 质包括氧化矽与聚合物,且该旋涂材料层之研磨速 率低于该牺牲层;以及 对该旋涂材料层与该牺牲层进行研磨。2.如申请 专利范围第1项所述之结合旋转涂布之化学机械研 磨法,其中该牺牲层包括氧化层。3.如申请专利范 围第2项所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法, 其中该氧化层的材质包括氧化矽。4.如申请专利 范围第3项所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法 ,其中该氧化矽层形成的方法包括化学气相沉积法 。5.如申请专利范围第4项所述之结合旋转涂布之 化学机械研磨法,其中该旋涂材料层的厚度约为 2000埃~7000埃。6.如申请专利范围第1项所述之结合 旋转涂布之化学机械研磨法,其中研磨该旋涂材料 层与该牺牲层的方法包括化学机械研磨法。7.如 申请专利范围第1项所述之结合旋转涂布之化学机 械研磨法,其中该基底上之该表面高低的元件包括 一闸极。8.如申请专利范围第1项所述之结合旋转 涂布之化学机械研磨法,其中该基底上之该表面高 低的元件包括一金属导线。9.如申请专利范围第1 项所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法,其中该 基底上之该表面高低的元件包括一浅沟渠。10.一 种结合旋转涂布之化学机械研磨法,包括下列步骤 : 形成一不平坦表面之元件于一基底上; 于该不平坦表面之元件上,形成一牺牲层; 在该牺牲层上形成一第一旋涂材料层; 在该第一旋涂材料层上形成一第二旋涂材料层;以 及 对该第一旋涂材料层、该第二旋涂材料层与该牺 牲层进行研磨。11.如申请专利范围第10项所述之 结合旋转涂布之化学机械研磨法,其中该第一旋涂 材料层之研磨速率较该第二旋涂材料层之研磨速 率低。12.如申请专利范围第11项所述之结合旋转 涂布之化学机械研磨法,其中该第一旋涂材料层包 括研磨速率较低之矽玻璃层,且该第二旋涂材料层 包括研磨速率较高之矽玻璃层。13.如申请专利范 围第10项所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法, 其中该第一旋涂材料层之研磨速率较该第二旋涂 材料层之研磨速率高。14.如申请专利范围第13项 所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法,其中该第 一旋涂材料层的材质包括矽玻璃,且该第二旋涂材 料层的材质包括氧化矽与聚合物。15.如申请专利 范围第10项所述之结合旋转涂布之化学机械研磨 法,其中该基底上之该表面高低的元件包括一闸极 。16.如申请专利范围第10项所述之结合旋转涂布 之化学机械研磨法,其中该基底上之该表面高低的 元件包括一金属导线。17.如申请专利范围第10项 所述之结合旋转涂布之化学机械研磨法,其中该基 底上之该表面高低的元件包括一浅沟渠。图式简 单说明: 第一图A至第一图C系绘示传统式化学机械研磨法 的剖面示意图; 第二图A至第二图C系绘示根据本发明之第一较佳 实施例,一种结合旋转涂布之化学机械研磨法的剖 面示意图; 第三图A至第三图C系绘示根据本发明之第二较佳 实施例,一种结合旋转涂布之化学机械研磨法的剖 面示意图; 第四图A至第四图C系绘示根据本发明之第三较佳 实施例,一种结合旋转涂布之化学机械研磨法的剖 面示意图;以及 第五图A至第五图B系绘示根据本发明之第四较佳 实施例,一种结合旋转涂布之化学机械研磨法的剖 面示意图。 |
