| 主权项 |
1.一种在化学机械研磨设备中控制研磨垫损耗的 方法,该方法至少包含下列步骤: 测量一研磨垫之一研磨表面的轮廓;以及 以闭回路控制之方式更改该研磨垫之调节过程,并 作为所测量到之轮廓的函数,以控制该研磨垫之损 耗。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述 更改该研磨垫之调节过程的步骤包含控制一调节 盘位于该研磨垫区域之上方的相对停留时间。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述更改 该研磨垫之调节过程的步骤包含控制一调节盘施 于该研磨垫区域上的压力。4.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中上述测量轮廓之步骤包含藉由 雷射侦测来测量该研磨垫的轮廓。5.如申请专利 范围第4项所述之方法,其中上述之雷射侦测包含 将雷射定位在该研磨垫之上方,以使得由该雷射所 产生之雷射能量能够照射在该研磨垫之表面上。6 .如申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之雷 射侦测更包含相对于该研磨垫移动该雷射,以使得 该雷射能量能够至少扫过该研磨垫之半径。7.如 申请专利范围第6项所述之方法,其中上述之雷射 系架设在一旋转台上,且上述移动该雷射之步骤包 含旋转该旋转台,以使得该雷射能够移动遍及该研 磨垫。8.如申请专利范围第7项所述之方法,更至少 包含增加与其它研磨垫区域比较起来,具有较少损 耗之研磨垫区域的相对停留时间。9.如申请专利 范围第8项所述之方法,其中上述更改该研磨垫之 调节过程的步骤系以闭回路的方式进行,以回应藉 由雷射侦测测量该研磨垫之轮廓。10.如申请专利 范围第4项所述之方法,其中上述更改该研磨垫之 调节过程的步骤系以闭回路的方式进行,以回应藉 由雷射侦测测量该研磨垫之轮廓。11.一种在化学 机械研磨设备中用于侦测一研磨垫之使用寿命终 点的方法,该方法至少包含下列步骤: 从具有一研磨垫之研磨台搬移一工件,且该工件在 该研磨垫上被研磨; 在搬移该工件的过程中测量该研磨垫之损耗量;以 及 将该研磨垫之损耗量与一损耗量门槛値比较,以测 定何时到达研磨垫之使用寿命的终点。12.如申请 专利范围第11项所述之方法,其中上述测量损耗量 的步骤包含在至少部分该研磨垫之复数个点上,利 用一雷射位移感应器测量从该雷射位移感应器到 该研磨垫的距离。13.如申请专利范围第12项所述 之方法,其中上述测量该研磨垫之损耗量的步骤包 含相对于该研磨垫移动该雷射位移感应器。14.如 申请专利范围第13项所述之方法,其中上述搬移的 步骤系藉由一可旋式旋转台来进行,且该雷射位移 感应器系贴附在该旋转台上并随着该旋转台旋转, 以使得该雷射位移感应器可在搬移该工件的过程 中,在该研磨垫之上方移动。15.一种用于测量一化 学机械研磨设备之研磨垫之状态的设备,该设备至 少包含: 一旋转台,可将工件搬移至该研磨垫,或将工件从 该研磨垫搬移开; 一无接触式位移感应器,当该旋转台将该工件搬移 至该研磨垫或将该工件从该研磨垫搬移开时,该无 接触式位移感应器被架设在至少一部份之研磨垫 的上方以来回移动,且该无接触式位移感应器系针 对在该研磨垫上之复数个点进行位移测量,以测定 该研磨垫的状态;以及 一控制器,回应于该位移测量,以修改该研磨垫之 调节过程。16.如申请专利范围第15项所述之设备, 其中上述之无接触式位移感应器为一雷射位移感 应器。17.如申请专利范围第15项所述之设备,其中 上述之控制器系被连接用以接收该雷射位移感应 器之位移测量,并产生该研磨垫之表面轮廓。18.如 申请专利范围第17项所述之设备,更至少包含调节 设备,以可控制之方式调节该研磨垫,且该控制器 系被设计用来控制该调节设备,并以该研磨垫之表 面轮廓之函数的方式来进行。19.如申请专利范围 第18项所述之设备,其中上述之调节设备包含一调 节盘,且该调节盘系与该研磨垫接触并调节该研磨 垫之区域,并藉由该控制器以该研磨垫之表面轮廓 之函数的方式来控制该调节盘在该研磨垫上方的 相对停留时间。20.如申请专利范围第19项所述之 设备,其中上述之控制器系被设计以闭回路的方式 控制该调节盘。图式简单说明: 第一图A至第一图E为例示在基材上沉积与蚀刻一 层的概要图。 第二图A至第二图C为例示在基材上研磨一非平坦 之外部表面的概要图。 第三图为化学机械研磨设备的立体图。 第四图为第三图之化学机械研磨设备的立体分解 图。 第五图A至第五图F为研磨设备的上视图,其例示当 晶圆被载入并研磨时,晶圆行进运动的情形。 第六图为研磨垫之侧视图。 第七图为经磨损之研磨垫的立体图,且具有部分的 剖面。 第八图为本发明用于研磨垫轮廓仪与研磨垫调节 控制器之电脑控制系统的方块图。 第九图为圆盘的上视图,并描述圆盘上的区域。 第十图为本发明用于修改研磨垫调节过程之方法 的流程图。 第十一图A至第十一图C为例示研磨垫轮廓之测量 的曲线图。 |
