| 发明名称 |
Verfahren zur Bildung implantierter Gebiete mit einem reduzierten Channeling-Risiko in Halbleitern |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69330986(D1) |
申请公布日期 |
2001.11.29 |
| 申请号 |
DE19936030986 |
申请日期 |
1993.07.27 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA |
发明人 |
ZACCHERINI, CHIARA |
| 分类号 |
H01L21/265;H01L21/02;H01L21/3215;H01L21/8244;H01L27/11;(IPC1-7):H01L21/321 |
主分类号 |
H01L21/265 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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