| 发明名称 | 对电荷超敏感的库仑计 | ||
| 摘要 | 本实用新型属于微电子器件和纳米器件,特别是涉及一种对电荷超敏感的库仑计。在衬底上的导电材料层中有源极1和漏极2;在导电材料层的源极和漏极处有槽8和槽9,槽8和槽9之间的台面形成连接源极和漏极的一维波导,其宽度为3—800纳米;在一维波导上沉积有隧穿势垒线条栅5、6和探头线条栅,隧穿势垒线条栅5和6之间的一维波导为量子点3,在一维波导的量子点处有边线条栅。可用于探测万分之一的电子电荷。 | ||
| 申请公布号 | CN2462399Y | 申请公布日期 | 2001.11.28 |
| 申请号 | CN01201857.0 | 申请日期 | 2001.01.18 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王太宏 |
| 分类号 | G01R29/24 | 主分类号 | G01R29/24 |
| 代理机构 | 上海华东专利事务所 | 代理人 | 李柏 |
| 主权项 | 1．一种对电荷超敏感的库仑计，其特征在于：在衬底(12)上的导电材料层(11)中有源极(1)和漏极(2)；在导电材料层(11)的源极(1)和漏极(2)处有槽(8)和槽(9)，槽(8)和槽(9)之间的台面形成连接源极(1)和漏极(2)的一维波导(10)；在一维波导(10)上沉积有隧穿势垒线条栅(5)、(6)和探头线条栅(7)，隧穿势垒线条栅(5)和(6)之间的一维波导为量子点(3)，在一维波导的量子点(3)处有边线条栅(4)。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||