| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 트랜지스터 형성방법에 관한 것으로, 반도체기판 상부에 산화막과 폴리실리콘 적층구조를 형성하고, 상기 적층구조를 게이트전극 마스크를 이용한 사진식각공정으로 패터닝한 다음, 상기 패터닝된 적층구조 측벽에 절연막 스페이서를 형성하고 상기 반도체기판에 불순물을 이온주입하여 불순물 접합영역을 형성한 다음, 상기 적층구조와 평탄화된 내부산화막을 전체표면상부에 형성하고 상기 적층구조를 제거한 다음, 전체표면상부에 게이트절연막인 알루미나와 게이트전극용 텅스텐/텅스텐질화막을 연속적으로 형성하고 상기 절연막 스페이서 사이 상측의 상기 텅스텐/텅스텐질화막까지 에치백한 다음, 상기 절연막 스페이서 사이의 상기 텅스텐/텅스텐질화막 상부에 하드마스크를 형성하는 공정으로 후속 식각공정시 금속 게이트전극의 손상을 방지함으로써 반도체소자의 특성 및 신뢰성을 향상시키고 그에 따른 반도체소자의 고속화를 가능하게 하여 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.</p> |
