| 摘要 |
<p>본 발명은 재배치 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 구리 재배선층이 쉽게 산화되어 중합체층과의 접착력이 저하되는 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것인 바, 본 발명에 의하여 제공되는 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지는 구리 재배선층과 상부 중합체층 사이에 형성되는 장벽 금속층을 포함하며, 크롬 또는 니켈을 구리 재배선층 위에 도금하여 장벽 금속층을 형성한다. 장벽 금속층은 단일 도금층 또는 두 개의 도금층이 가능하며, 도금층의 표면을 실란계 또는 아졸계 화학용액으로 처리하여 금속 중간 복합층이 형성되도록 할 수 있다. 도금 방법은 전해도금이 바람직하며, 장벽 금속층의 두께는 0.1㎛ 내지 50㎛이다. 본 발명은 재배치를 이용하여 웨이퍼 상태에서 제조되는 칩 사이즈 패키지에 적용되며, 구리 재배선층의 산화를 억제하고 구리층과 중합체층 사이의 접착력을 유지할 수 있어 신뢰성 측면에서 우수한 효과를 가질 뿐만 아니라, 추가 장비나 공정이 필요하지 않아 가격경쟁력 측면에서 우수하고, 장벽 금속층이 기존의 금속기저층의 기능을 대신할 수 있는 효과가 있다.</p> |
