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发明名称 TRANSISTOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE WITH SILICIDE LAYER IN CONTACT WITH SOURCE/DRAIN REGION BETWEEN GATE SPACERS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR20010103276(A) 申请公布日期 2001.11.23
申请号 KR20000024617 申请日期 2000.05.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHOI, TAE HUI;PARK, JEONG U
分类号 (IPC1-7):H01L29/78 主分类号 (IPC1-7):H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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