发明名称 用于积体电路装置之评价的半导体装置
摘要 本发明系在用于LSI的评价之评价工具中,例如在 Si基板(ll)上的角部附近以及部附近,分别使压电扩散电阻单元(12)与温度监控单元(13)接近来配置。而且,在除了压电扩散电阻单元(12)与温度监控单元(13)外的上述Si基板ll上配置多晶矽电阻阵列(14)。然后,在这些元件的上层,中介金属间介电层(17)配设由第二层Al配线所构成的配线层(18)。如此一来,藉由形成层差构造,在评价工具中,实现与实际的LSI制品大致同样的构造。
申请公布号 TW465003 申请公布日期 2001.11.21
申请号 TW089124572 申请日期 2000.11.20
申请人 东芝股份有限公司 发明人 小园浩由树
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种评价工具,包含:应力感测器、温度感测器以及电阻群,分别配置在半导体基板上;以及配线层,在该应力感测器、该温度感测器以及该电阻群的上层,中介介电层所配设。2.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该应力感测器以及该温度感测器系配置于包含基板面内的中央部附近与角部附近之至少两个以上的位置。3.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该应力感测器以及该温度感测器系互相接近来配置。4.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该电阻群系在除了该应力感测器以及该温度感测器的配置位置外的基板面内,配置成阵列状。5.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该电阻群被分割成复数个区块,各个区块都可供给电力来构成。6.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该电阻群具有2000埃~3000埃左右的高度而形成。7.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该配线层被分割成复数个区域,各个区域具有数m~数100m的不同线宽而形成。8.如申请专利范围第7项所述之评价工具,其中该配线层具有蛇形状而形成。9.如申请专利范围第7项所述之评价工具,其中该配线层系组合梳型的配线与蛇状的配线而形成。10.如申请专利范围第1项所述之评价工具,其中该配线层系被保护膜覆盖。11.如申请专利范围第10项所述之评价工具,其中在该保护设置到达该配线层的开孔部。12.一种评价工具,包含:半导体基板;应力感测器,配置于包含该半导体基板的中央部附近与角部附近之至少两个以上的位置;温度感测器,在包含该半导体基板的中央部附近与角部附近之至少两个以上的位置,接受该应力感测器而配置;电阻群,在除了该应力感测器以及该温度感测器的配置位置外之该半导体基板上,配置成阵列状;配线层,在该应力感测器、该温度感测器以及该电阻群的上层,中介介电层所配设;以及保护膜,此配线层被分割成复数个区域,各个区域具有数m~数100m的不同线宽而形成。13.如申请专利范围第12项所述之评价工具,其中该电阻群被分割成复数个区块,各个区块都可供给电力来构成。14.如申请专利范围第12项所述之评价工具,其中该电阻群具有2000埃~3000埃左右的高度而形成。15.如申请专利范围第12项所述之评价工具,其中该配线层具有蛇形状而形成。16.如申请专利范围第12项所述之评价工具,其中该配线层系组合梳型的配线与蛇状的配线而形成。17.如申请专利范围第12项所述之评价工具,其中在该保护膜设置到达该配线层的开孔部。图式简单说明:第一图系显示与本发明的第一实施形态有关的评价工具之构成例之主要部位的俯视图。第二图系显示第一图所示的评价工具的构成之主要部位的俯视图。第三图系显示第一图与第二图所示的评价工具的构成之主要部位的剖面图。第四图系显示与本发明的第二实施形态有关的评价工具之构成之主要部位的剖面图。第五图系显示对应第二图的显示评价工具之其他构成例之主要部位的俯视图。
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