| 主权项 |
1.一种晶片的清洗方法,该晶片包含有一钨金属层,一氧化层形成于该钨金属层表面上,一光阻层形成于该氧化层表面上,以及一接触洞系贯穿该光阻层与该氧化层直至该钨金属层之一预定表面曝露出来,该清洗方法包括下列步骤:(a)进行一光阻去除制程,将该光阻层去除;(b)进行一乾式清洗制程,使用CF4以及N2H2作为反应气体;以及(c)进行一水洗制程。2.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程所使用之CF4的气体流量范围为40-200sccm。3.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程所使用之N2H2的气体流量范围为100-500sccm。4.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程所使用之CF4与总反应气体之比例系介于1/2-1/6之间。5.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程所使用之反应气体另包含有惰性气体。6.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程系使用两种电力(dual power)。7.如申请专利范围第6项所述之清洗方法,其中该乾式清洗制程系同时使用RF电力以及微波电力。8.如申请专利范围第7项所述之清洗方法,其中该RF电力范图为80-120瓦。9.如申请专利范围第7项所述之清洗方法,其中该微波电力范围为700-900瓦。10.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该水洗制程系将该晶片浸泡于去离子水(deionized water)中。11.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该氧化层系之沉积方法系使用TEOS作为反应气体。12.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该光阻剥除制程系为一乾蚀刻制程。13.如申请专利范围第1项所述之清洗方法,其中该光阻剥除制程与该乾式清洗制程系于相同环境中(in-situ)进行。图式简单说明:第一图系显示习知接触洞之剖面示意图。第二图系显示习知接触洞蚀刻后清洗制程的流程图。第三图A至第三图D系显示本发明之接触洞蚀刻后清洗制程之剖面示意图。第四图系显示本发明之接触洞蚀刻后清洗制程之流程图。 |
