| 主权项 |
1.一种用于制造半导体装置之方法,其中多数晶圆形成在单一晶圆上,包含下列步骤:形成槽图型在晶圆上之绝缘层内;以溅射法来形成种晶金属层在该槽内;以电镀法来沈积互连金属层在该种晶金属层内;及整平该晶圆到该绝缘层之表面,其中在形成该槽图型在该绝缘层内之期间,该槽图型形成在可取得半导体装置之晶圆上的区域,而在不能取得半导体装置之晶圆周边中形成虚设图型达到30m长。2.如申请专利范围第1项用于制造半导体装置之方法,其中用于在不能取得半导体装置之晶圆周边形成该虚设图型的遮罩资料比为10%或更高。3.如申请专利范围第1项用于制造半导体装置之方法,其中该槽图型及该虚设图型是以照相石版印刷术来形成,而在用于该装置区域之槽图型曝光前实施虚设图型曝光。4.如申请专利范围第1项用于制造半导体装置之方法,其中该互连金属层是由铜或铜合金所构成。5.如申请专利范围第4项用于制造半导体装置之方法,其中该种晶金属层是溅射之铜膜。6.如申请专利范围第1项用于制造半导体装置之方法,其中该障壁金属层是在该种晶金属层及该绝缘层之间。7.一种曝光遮罩,用以在形成有槽图形装置之半导体晶圆之中心区域外的周边区域形成虚设图型,此曝光遮罩包括一对应于要形成在该周边区域上的虚设图形之遮罩图形,而该虚设图形包含有不长于30m以下的复数个形状。8.如申请专利范围第7项之曝光遮罩,其中该遮罩图型是一种对应图型之遮罩,其图型大小为用于该半导体装置之设计规则的整数倍数。9.如申请专利范围第7项之曝光遮罩,其中该遮罩图型和该虚设图型是反转之图型。10.如申请专利范围第7项之曝光遮罩,其中该遮罩资料比为10%或更高。11.如申请专利范围第8项之曝光遮罩,其中该遮罩资料比为10%或更高。12.如申请专利范围第9项之曝光遮罩,其中该遮罩资料比为10%或更高。图式简单说明:第一图图示在本发明之方法中所使用遮罩架构的概示图示;第二图(A)至第二图(C)图示根据本发明实施例之用于形成铜互连层方法的前半步骤过程横断面图;第三图(A)及第三图(B)图示根据本发明实施例之用于形成铜互连层方法的后半步骤过程横断面图;第四图表示晶圆周边之虚设图型大小的脱落长度变化图表;第五图表示在晶圆周边之虚设图型中CMP抛光速率对资料比的变化图表;第六图图示习用曝光过程中所使用遮罩架构的概示图示;第七图图示在另一习用曝光过程中所使用遮罩架构的概示图示;第八图(A)至第八图(C)图示用于形成铜互连层之习用方法的过程横断面图示;及第九图(A)至第九图(C)图是图示习用技术问题的放大横断面图示。 |
