| 主权项 |
1.一种光抗蚀刻剂组合物,其由一种光活化组份与一种树脂黏合剂所构成,该树脂黏合剂为式(I)之共聚物:I其中R为经取代或未经取代之(C1-C10)烷基;R1与R2各自独立为卤素,经取代或未经取代之(C1-C8)烷基,经取代或未经取代之(C1-C8)烷氧基,经取代或未经取代之(C2-C8)烯基,经取代或未经取代之(C2-C8)炔基,经取代或未经取代之(C2-C8)烷基硫代基,氰基或硝基;m为0至5之整数,且P为0至4之整数;每个R3,R4与R5分别为卤素或经取代或未经取代之(C1-C3)烷基;x,y与z皆大于0,且分别为单元3),2)与1)之莫耳百分比,但排除由乙烯基苯酚、丙烯酸第三丁酯与苯乙烯以2:1:1之比例共聚合而成之聚合物。2.一种光抗蚀刻剂组合物,其由一种光活化组份,一种作为树脂黏合剂之式(I)的共聚物,及选自染料化合物,所添加之硷,抗光纹剂,增塑剂,速度增大剂,表面活性剂及溶剂中之至少一者所构成,I其中R为经取代或未经取代之(C1-C10)烷基;R1与R2各自独立为卤素,经取代或未经取代之(C1-C8)烷基,经取代或未经取代之(C1-C8)烷氧基,经取代或未经取代之(C2-C8)烯基,经取代或未经取代之(C2-C8)炔基,经取代或未经取代之(C2-C8)烷基硫代基,氰基或硝基;m为0至5之整数,且P为0至4之整数;每个R3,R4与R5分别为卤素或经取代或未经取代之(C1-C3)烷基;x,y与z分别为单元3),2)与1)之莫耳百分比,但排除由乙烯基苯酚、丙烯酸第三丁酯与苯乙烯以2:1:1之比例共聚合而成之聚合物。3.一种光抗蚀刻剂组合物,其由一种光活化组份及一种树脂黏合剂所构成,该树脂黏合剂含有如下式之共聚物:其中x为65至75莫耳%;y为10至20莫耳%;且z为10至20莫耳%。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之光抗蚀刻剂组合物,其中x,y与z之总和为至少80%。5.如申请专利范围第4项光抗蚀刻剂组合物,其中x,y与z之总和为至少90%。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之光抗蚀刻剂组合物,其中该共聚物为如下所示:其中x'为65至75莫耳%,y'为10至20莫耳%,且z'为10至20莫耳%。7.如申请专利范围第6项之光抗蚀刻剂组合剂,其中x',y'与z'之总和为至少90%。8.一种形成正型光抗蚀刻剂凸出影像之方法,包括:a)在基板上涂覆一层如申请专利范围第1至7项中任一项之正型光抗蚀刻剂组合物;b)在基板上曝光及显影该光抗蚀剂层,形成凸出影像。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该基板为微电子晶圆。10.一种制品,含有一基板及涂在该基板上之如申请专利范围第1至7项中任一项之光抗刻组合物。11.如申请专利范围第10项之制品,其中该基板为微电子晶圆。 |
