| 主权项 |
1.一种半导体装置用洗净剂,其为包括氢氧化物、水、下述式(I)和/或式(II)表述的化合物在内的半导体装置用洗净剂,HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)(EO表示氧乙基,PO表示氧丙基,x及y表示满足x/(x+y)=0.05-0.4的整数,z表示正整数)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m (II)(EO、PO、x、y、z与公式(I)的定义相同,R表示除了醇或胺的羟基或胺基的氢原子以外的残基,m为1以上的整数)。2.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,上述氢氧化物包括氢氧化胺。3.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,上述氢氧化物系选自四甲基胺氢氧化物、镓的氢氧化物及钠的氢氧化物所形成的群体。4.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,上述洗净剂中含有上述氢氧化物的浓度为0.01重量%-31重量%。5.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,式(I)或式(II)表述的化合物中的氧丙基合计量的平均分子量为500-5000。6.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,式(I)和/或式(II)表述的化合物与氢氧化物的重量比为(0.310-4):1。7.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,上述洗净剂的pH値为8以上。8.如申请专利范围第1项之半导体装置用洗净剂,其中,此外还含有1重量%以下之过氧化氢。9.一种半导体装置之制造方法,其为具有以下2道步骤的半导体装置之制造方法,即:准备结束乾蚀刻处理的半导体基板1之第1道步骤以及将上述半导体基板1的表面以包括氢氧化物、水、下述式(I)和/或式(II)表述的化合物在内的洗净剂进行清洗的第2道步骤,HO-((EO)x-(PO)y)z-H (I)(EO表示氧乙基,PO表示氧丙基,x及y表示满足x/(x+y)=0.05-0.4的整数,z表示正整数)R-[((EO)x-(PO)y)z-H]m (II)(EO、PO、x、y、z与式(I)的定义相同,R表示除了醇或胺的羟基或胺基的氢原子以外的残基,m为1以上的整数)。10.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1道步骤包括使用光阻图案进行上述乾蚀刻的步骤以及将上述光阻图案灰化去除的步骤。11.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1道步骤包括藉由上述乾蚀刻使上述半导体基板1曝露出含有钨的金属膜5和/或矽材料。12.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1道步骤包括对上述半导体基板1藉由使用光阻图案的上述乾蚀刻形成包括聚矽和钨的配线图案6的步骤,以及去除上述光阻图案14的步骤。13.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1道步骤包括对上述半导体基板1形成含有钨的配线图案6的步骤,在上述配线图案6上形成绝缘膜6的步骤,藉由采用光阻图案的上述乾蚀刻使上述绝缘膜7中形成连接孔16的步骤、以及去除上述光阻图案14的步骤。14.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述第1道步骤包括对上述半导体基板1之上形成至少2种氧化矽系绝缘膜11的步骤,以及对上述2种氧化矽系绝缘膜11进行上述乾蚀刻的步骤。15.如申请专利范围第9项之半导体装置之制造方法,其中,上述洗净系将上述洗净剂的溶液温度设定在20℃-65℃,然后将半导体基板1浸渍于上述洗净剂中进行浸渍清洗。图式简单说明:第一图是使用本发明实施形态的洗净剂制造之半导体装置的剖面图。第二图是使用先前的制造方法形成的半导体装置的剖面图。第三图是先前半导体装置之制造方法中第1道步骤之半导体装置的剖面图。第四图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第2道步骤之半导体装置的剖面图。第五图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第3道步骤之半导体装置的剖面图。第六图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第4道步骤之半导体装置的剖面图。第七图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第5道步骤之半导体装置的剖面图。第八图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第6道步骤之半导体装置的剖面图。第九图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第7道步骤之半导体装置的剖面图。第十图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第8道步骤之半导体装置的剖面图。第十一图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第9道步骤之半导体装置的剖面图。第十二图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第10道步骤之半导体装置的剖面图。第十三图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第11道步骤之半导体装置的剖面图。第十四图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第12道步骤之半导体装置的剖面图。第十五图是先前半导体装置之制造方法的顺序中第13道步骤之半导体装置的剖面图。 |
