| 主权项 |
1.一种制造封装晶片上引线半导体装置之制造方法,包括步骤:制备一半导体晶片及一引线框,该半导体晶片具有一主表面,其上形成有数电极焊接点,且该引线框具数内引现及数外引线:一种液体黏合剂涂于该引线框得该数内引线上以形成一黏合层,其中该液体黏合剂系连续涂于该数内引线之表面及相邻该数内引线间的空间;藉该黏合剂层使该引线框的该数内引线黏着该半导体晶片的该主表面上,藉以使该黏合剂层位于该半导体晶片与该引线框之间,而且该引线框之该数内引线系位于该半导体晶片之该主面上,俾该半导体晶片之该数电极焊接点系经该数内引线相对排之间暴露出;用结线使该半导体晶片的该各电极焊接点电气相连该引线框之该各内引线;及用包封物包封该半导体晶片、该黏合剂层、该引线框的该数内引线及该数结线。2.如申请专利范围第1项之方法,其中将该液体黏合剂涂于该数内引线的步骤包括使用分配器将数内引线涂覆上该液体黏合剂物质之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,其中将该数内引线涂覆上该液体黏合剂物质之步骤系连续地对以相对排之一者配置的该内引线进行。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该黏合剂层系由一种热塑性树脂所形成。5.如申请专利范围第4项之方法,其中热塑性树脂系选自聚醚醯胺、聚醯亚胺矽氧烷及聚醯亚胺。6.如申请专利范围第4项之方法,其中热塑性树脂涂于该数内引线以形成该黏合剂层的步骤系包括在温度约200℃时硬化热塑性树脂之步骤。7.如申请专利范围第4项之方法,其中藉该黏合剂层将该引线框黏着该半导体晶片的步骤系包括在温度约400℃时压缩该黏合剂层之步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中黏合剂层系由一热固性树脂所行成。9.如申请专利范围第8项之方法,其中将热固性树脂涂于该数内引线以形成该黏合剂层的步骤系包括在温度约150℃时硬化热塑性树脂之步骤。10.如申请专利范围第8项之方法,其中藉该黏合剂层将该引线框黏着该半导体晶片的步骤系包括在温度约200℃时,热压缩该黏合剂层之步骤。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该黏合层具有约20m之厚度。图式简单说明:第一图系一习用晶片上引线半导体装置封装体之部分剖开立体图;第二图系一立体分解图,说明第一图所示封装体中的半导体晶片、胶黏带与引线框之间的空间关系;第三图系依本发明晶片上引线半导体装置封装体之一实施例的部分剖开立体图;第四图系第三图封装体中所用的引线框之立体图,具有一由液体黏合剂所形成的黏合剂层;第五图说明将液体黏合剂涂于引线框以产生第四图之黏合剂层的方法;第六图说明将半导体晶片黏着于具有黏合剂层的第四图引线框的方法;第七图系依本发明晶片上引线半导体装置封装体之另一实施例的剖面图;及第八图系第七图封装体中所用的具有二黏合剂层的引线框之立体图。 |
