发明名称 一种积层型功率电感元件之散热结构及其制作方法
摘要 一种积层型功率电感元件之散热结构及其制作方法,用以解决积层型功率电感元件散热不佳的问题;以积层的方式将复数层埋入式导热隔层,形成于一积层型功率元件上,藉由该具高热传导性之导热隔层,将积层功率电感元件内部所产生之热量快速传导至外部,该积层功率电感外部可另外增设一散热器,与该导热隔层相连接。藉由该散热器可更加快热量从该导热隔层导出。
申请公布号 TW464887 申请公布日期 2001.11.21
申请号 TW089128286 申请日期 2000.12.29
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 唐敏注;陈其亮;潘煜伟
分类号 H01F27/08 主分类号 H01F27/08
代理机构 代理人
主权项 1.一种积层型功率电感元件之散热结构,用以将积层型功率电感元件内部所产生之热量传导至外部,其特征在于:该散热结构系由复数层磁性材料层以及复数层埋入式导热隔层,以积层之方式构成于该积层型功率电感元件。2.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中埋入之该导热隔层为二至四层。3.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该导热隔层与该磁性材料层彼此交错堆叠。4.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,该导热隔层之材质系选自金、银、铜、镍所组成之族群中的任何一种。5.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该导热隔层之厚度为1-250微米之间。6.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该导热隔层为平板状。7.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该导热隔层为网格状。8.如申请专利范围第1项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该导热隔层之外缘小于该磁性材料层之外缘,而以一延伸部向该磁性材料层之外缘延伸,作为对外热传导之连接点。9.如申请专利范围第8项所述之积层型功率电感元件之散热结构,更包含一散热器与该延伸部相连接,藉以加速将热量从该导热隔层导向外部。10.如申请专利范围第9项所述之积层型功率电感元件之散热结构,其中该延伸部之边缘更形成有一热接触端子用以与该散热器形成良好之热接触。11.一种积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其特征在于:以积层之方式将复数层埋入式导热隔层以及复数层磁性材料生胚薄层交错层叠于一积层型功率电感元件之生胚积层结构上,然后再进行压合与烧结而在积层型功率电感元件上形成积层之散热结构。12.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以印刷方式附着于该磁性材料生胚薄层。13.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以涂布的方式附着于该磁性材料生胚薄层。14.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以电镀方式附着于该磁性材料生胚薄层。15.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以蒸镀的方式附着于该磁性材料生胚薄层。16.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以溅镀方式附着于该磁性材料生胚薄层。17.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层在积层的制程中,以溅镀方式附着于该磁性材料生胚薄层。18.如申请专利范围第11项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,其中该导热隔层之外缘小于该磁性材料生胚薄层之外缘,而以一延伸部向该磁性材料生胚薄层之外缘延伸,作为对外热传导之连接点。19.如申请专利范围第18项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,更包含将一散热器与该延伸部相连接的步骤,藉以加速将热量从该导热隔层导向外部。20.如申请专利范围第19项所述之积层型功率电感元件之散热结构的制作方法,更包含在该延伸部之边缘形成热接触端子的步骤,该热接触端子系用以与该散热器形成良好之热接触。图式简单说明:第一图绘示一具有本发明之散热结构之积层型功率电感元件之立体图。第二图A绘示本发明之积层型功率电感元件之散热结构的立体分解图。第二图B绘示一积层型功率电感元件之立体分解图。第三图为「第一图」中III-III方向之剖视图。第四图为「第一图」中IV-IV方向之剖视图。第五图给示一网格状导热隔层。第六图绘示在该积层型功率电感元件外部形成有一散热器。第七图为具有本发明之散热结构的一种积层型功率电感元件之导热隔层层数与温度变化之实验数据曲线图。
地址 新竹县竹东镇中兴路四段一九五号