| 主权项 |
1.一种形成无碟形效应之导体结构的方法,该方法至少包含下列步骤:形成一具第一宽度之第一开口及具第二宽度之第二开口于一介电层中,且该第一宽度大于该第二宽度;形成一导电层于该介电层中,并且该导电层填入该第一开口及该第二开口中;被覆一旋涂材料于该导电层上;进行一热处理以将该旋涂材料转换为一氧化物,藉此该第一开口上之该旋涂材料的厚度会大于该导电层表面上之该旋涂材料的厚度;及以化学机械研磨法研磨该旋涂材料及该导电层,其中该旋涂材料位于该第二开口上之第一部分被完全移除,该旋涂材料之第二部分仍残留于该第一开口上,藉以消除碟形效应。2.如申请专利范围第1项所述之方法,更包含一于形成上述导电层之前形成一黏着层之步骤。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电层至少包含氧化层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电层至少包含氮化层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述介电层至少包含氮氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述旋涂材料包含一旋涂玻璃。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中上述旋涂玻璃之厚度约为500至3000埃。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述热处理之温度约为摄氏100度至400度。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述导电层系由铝、铜、钨、银、金、铜及其结合所组成之族群中所选出。图式简单说明:第一图系描述习知技术中一具导电层之半导体晶圆的剖面;第二图系描述习知技术中研磨一半导体晶圆之步骤的剖面;第三图系描述习知技术中形成碟形效应之步骤的剖面;第四图系描述一半导体晶圆之剖面以说明本发明中形成窄及宽开口之步骤;第五图系描述一半导体晶圆之剖面以说明本发明中形成导电层及旋涂玻璃之步骤;及第六图系描述一半导体晶圆之剖面以说明本发明中移除导电层及旋涂玻璃之步骤。 |
