| 主权项 |
1.一种防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其适用于一电浆处理室中之一机台,其中该机台包括一T型晶片承载座与一电阻量测器,该电阻量测器之一端与该T型晶片承载座电性连接,另一端与该机台之接地端电性连接,此方法包括:将一晶圆移至该T型晶片承载座上;以及在该晶圆上进行电浆处理制程,并同时利用该电阻量测器线上监控该机台,接地端与该T型晶片承载座之间之电阻。2.如申请专利范围第1项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中当该电阻量测器量测到小于一监控标准値时,会有一警铃系统发出警告讯息。3.如申请专利范围第2项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该监控标准値为150k。4.如申请专利范围第1项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该机台之接地端包括一无线电波频率遮板。5.如申请专利范围第1项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该T型晶片承载座包括一静电式晶片承载座。6.如申请专利范围第1项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该机台包括一物理气相沈积系统。7.一种防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,包括:提供一机台,其中该机台包括:一T型晶片承载座;一无线电波频率遮板,该无线电波频率遮板包围该T型晶片承载座,且该无线电波频率遮板与该T型晶片承载座不互相连通;一螺丝,该螺丝固定在该T型晶片承载座之一侧壁;一接头,该接头固定在该螺丝上;一套环,该套装连接在该T型晶片承载座之该侧壁且套住该螺丝与该接头;以及一电阻量测器,该电阻量测器之一端连接至该套环,另一端连接至该无线电波频率遮板;将一晶圆以移至该T型晶片承载座上;以及在该晶圆上进行电浆处理制程,并同时利用该电阻量测器线上监控该该套环与该无线电波频率遮板之间之电阻。8.如申请专利范围第7项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中当该电阻量测器量测到小于一监控标准値时,会有一警铃系统发出警告讯息。9.如申请专利范围第8项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该监控标准値为150k。10.如申请专利范围第7项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该T型晶片承载座包括一静电式晶片承载座。11.如申请专利范围第7项所述之防止电浆处理制程过程中电弧发生的方法,其中该机台包括一物理气相沈积系统。12.一种电浆处理制程机台,包括:一T型晶片承载座;一无线电波频率遮板,该无线电波频率遮板包围该T型晶片承载座,且该无线电波频率遮板与该T型晶片承载座不互相连通;一螺丝,该螺丝固定在该T型晶片承载座之一侧边;一接头,该接头固定在该螺丝上;一套环,该套环连接在该T型晶片承载座之该侧壁且套住该螺丝与该接头;以及一电阻量测器,该电阻量测器之一端连接至该套环,另一端连接至该无线电波频率遮板。13.如申请专利范围第12项所述之电浆处理制程机台,其中该T型晶片承载座包括一静电式晶片承载座。14.如申请专利范围第12项所述之电浆处理制程机台,其中该电阻量测器与一警铃系统联系。15.如申请专利范围第14项所述之电浆处理制程机台,其中该电阻量测器量测到小于150k时,该警铃系统将发出警告讯息。16.一种电浆处理制程机台,包括:一T型晶片承载座;以及一电阻量测器,该电阻量测器之一端与该T型晶片承载座电性连接,另一端与该机台之接地端电性连接。17.如申请专利范围第16项所述之电浆处理制程机台,其中该机台之接地端包括一无线电波频率遮板。18.如申请专利范围第16项所述之电浆处理制程机台,其中该T型晶片承载座包括一静电式晶片承载座。19.如申请专利范围第16项所述之电浆处理制程机台,其中该电阻量测器与一警铃系统联系。20.如申请专利范围第19项所述之电浆处理制程机台,其中该电阻量测器量测到小于150k时,该警铃系统将发出警告讯息。图式简单说明:第一图A至第一图B所示,为依照本发明一较佳实施例之防止电浆处理制程过程中电弧发生的装置示意图。 |
