| 主权项 |
1.一种空隙式金属内连线的制造方法,包括:提供一基底;形成一堆叠层于该基底上;形成一双重金属镶嵌开口于该堆叠层中;形成一介电层于该堆叠层上与该双重金属镶嵌开口上,并进行回蚀以暴露出该双重金属镶嵌口底部的该基底;形成一阻障金属层于该堆叠层上与该双重金属镶嵌开口上;去除位于该堆叠层表面的该阻障金属层;形成一金属层于该基底上并填满该双重金属镶嵌开口;以该堆叠层为研磨终止层去除多余的该金属层,以形成一金属内连线;去除该双重金属镶嵌开口内该阻障金属层外侧之该介电层与部分该堆叠层,以形成一中空结构;以及形成一沉积层于该基底上,以形成该空隙式金属内连线。2.如申请专利范围第1项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中该堆叠层是由两种不同材料的复数层介电层相互堆叠所组成。3.如申请专利范围第2项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中增加该堆叠层之该些介电层之相互堆叠的层数可用以增加该中空结构的体积比例。4.如申请专利范围第2项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中于该堆叠层上与该双重金属镶嵌开口上之该介电层须与该堆叠层中其中一种该些介电层为相同的材质。5.如申请专利范围第4项所述之空隙式金属内连线的裂造方法,其中该介电层的材质包括碳化矽、氮化矽、旋涂式聚合物、旋涂式玻璃、聚醯氨材料、氟矽玻璃其中之一。6.如申请专利范围第2项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中该些介电层依照其形成的顺序包括一第一、第二与第三介电层。7.如申请专利范围第6项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中该第一与第三介电层所用的是相同材料,而与该第二介电层的材料不同。8.如申请专利范围第6项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中该第二介电层的材料包括碳化矽、氮化矽、旋涂式聚合物、旋涂式玻璃、聚醯氨材料、氟矽玻璃其中之一。9.如申请专利范围第1项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中该金属层的材质包括铜。10.如申请专利范围第1项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中去除该双重金属镶嵌开口内该阻障金属层外侧之该介电层与部分该堆叠层的方法包括湿式蚀刻。11.如申请专利范围第1项所述之空隙式金属内连线的制造方法,其中形成该沉积层的方法包括电浆化学气相沉积法。12.一种空隙式金属内连线的结构,包括:一堆叠层;以及一金属内连线,该金属内连线位于该堆叠层之中,且该金属内连线与该堆与层之间具有一中空结构。13.如申请专利范围第12项所述之空隙式金属内连线的结构,其中该堆叠层是由两种不同材料的复数层介电层相互堆叠所组成。14.如申请专利范围第13项所述之空隙式金属内连线的结构,其中该些介电层包括一第一、第二与第三介电层,其中该第二介电层介于该第一与该第三介电层之间,且与该第一与第三介电层所用的材料不同。15.如申请专利范围第14项所述之空隙式金属内连线的结构,其中该第二介电层的材料包括碳化矽、氮化矽、旋涂式聚合物、旋涂式玻璃、聚醯氨材料、氟矽玻璃其中之一。16.如申请专利范围第12项所述之空隙式金属内连线的结构,其中增加该堆叠层之该些介电层之相互堆叠的层数可用以增加该中空结构的体积比例。17.如申请专利范围第12项所述之空隙式金属内连线的结构,其中该金属内连线的结构包括位于中间的一金属层与其外侧之阻障金属层。18.如申请专利范围第17项所述之空隙式金属内连线的结构,其中该金属层的材质包括铜。19.如申请专利范围第12项所述之空隙式金属内连线的结构,更包括一沉积层位于该堆叠层与该金属内连线之表面。图式简单说明:第一图A至第一图C是习知一种金属内连线的制作流程示意图;第二图A至第二图D是依照本发明一较佳实施例一种空隙式金属内连线的制作流程示意图;以及第三图是依照本发明一较佳实施例一种空隙式金属内连线的示意图。 |
