| 主权项 |
1.一种制造半导体元件之方法,该半导体元件系包含一覆盖一半导体晶片以便将在该晶片中被制造之电极或垫暴露出来之绝缘膜与位在该绝缘膜上并与该等个别的电极或垫连接之布线,该方法系包含:提供一设置有一绝缘膜之半导体晶片,该绝缘膜系该覆盖晶片以便将一供在该晶片中被制造之电极与垫用之导体层暴露出来;藉由氩与氢的混合气体来离子粉碎设置有该绝缘膜之该晶片表面;在经离子粉碎之该晶片表面上形成一供布线用之经形成图案的导体层;以及藉由氮气乾式蚀刻设置有该绝缘膜及该经形成图案的导体层之该晶片表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中用来离子粉碎之氩与氢的混合气体包含占体积5至33%的氢。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该混合气体包含占体积5至10%的氢。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该经形成图案的导体层被下列步骤形成:在该经离子粉碎的晶片表面上形成一金属膜;在该金属膜上形成一经形成图案的光阻膜;使用该光阻膜作为一罩幕并使用该金属膜作为一电力供应层而形成一经形成图案的导体层;以及移除该光阻膜。5.如申请专利范围第4项之方法,其中在移除光阻膜之后,部分藉由移除该光阻膜而被暴露且未被该经形成图案的导体层覆盖之金属膜被移除。6.如申请专利范围第1项之方法,其中一将经制造之半导体元件连接至一外部电路上之构件在布线上被设置。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该晶片被包封以便暴露将该半导体元件连接至一外部电路上之构件。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘膜由聚醯亚胺或聚苯并恶唑制成。9.如申请专利范围第1项之方法,其中供该晶片之电极或垫用之该导体层由铝、铝合金、铜、或铜合金制成。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属层由铬之第一层与铜之第二层形成。11.如申请专利范围第1项之方法,其中供布线用之该导体层被由铝、铝合金、铜、或铜合金制成。12.如申请专范围第1项之方法,其中该乾式蚀刻选自溅镀蚀刻或化学乾式蚀刻。13.一种半导体元件,其系包含一覆盖半导体晶片以便将在该晶片中被制造之电极或垫暴露出来之绝缘膜以及位在该绝缘膜上并被连接至该等个别的电极或垫上之布线,其中该绝缘膜藉由氩与氢的混合气体而被离子粉碎并进一步被氮气乾式蚀刻。图式简单说明:第一图A至第一图C例示根据本发明制造半导体元件之方法之实施例的第一个四分之一;第二图A至第二图C例示根据本发明之方法之一实施例的第二个四分之一;第三图A至第三图C例示根据本发明之方法之一实施例的第三个四分之一;第四图A至第四图C例示根据本发明之方法之实例的最后一个四分之一;第五图A显示在聚醯亚胺层遭受到供根据本发明之离子粉碎用的离子束处理前与处理后,聚醯亚胺层之绝缘抗性的改变;第五图B显示在聚醯亚胺层遭受到供习知技艺之离子粉碎用的离子束处理前与处理后,聚醯亚胺层之绝缘抗性的改变;第六图A与第六图B显示在半导体晶片深度方向上构件的轮廓;第七图显示在供离子粉碎用之处理时间与在被以体积10%的H2含量物处理之布线层中的两点间的抗性之间的关系;第八图显示在供离子粉碎用之处理时间与在被以占体积5%的H2含量物处理之布线层中的两点间的抗性之间的关系;第九图显示在供离子粉碎用之处理时间与在被以占体积10%的H2含量物处理之布线层中的两点间的抗性之间的关系;第十图显示在供离子粉碎用之处理时间与在被以占体积33%的H2含量物处理之布线层中的两点间的抗性之间的关系;第十一图A与第十一图B分别显示在本发明之例示与比较例示之聚醯亚胺层的处理时间与绝缘抗性之间的关系;第十二图显示在加入大气之后绝缘膜的绝缘抗性;第十三图显示在回流循环测试之后绝缘膜绝缘抗性;第十四图显示根据本发明之半导体元件的变型;以及第十五图显示根据本发明之半导体元件的另一种变型。 |
