| 主权项 |
1.一种用来在层间金属连接的自我调整的帽盖金属的方法,其包括的步骤为:提供一金属结构于一第一介电层,该金属结构与该第一介电层具有一实质地平面的表面;选择地沈积一帽盖金属于该金属结构之上如此以致于该帽盖金属只沈积在该金属结构之上且形成上述的实质地平面的表面;形成一第二介电层于该帽盖金属之上;打开该第二介电层以形成一导孔其终结于该帽盖金属之中;以及沈积一导电材料于一导孔中,以透过该帽盖金属提供一接点至该金属结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属结构包括铝和铜之一种。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该帽盖金属包括钨。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该接点包括铝和铜之一种。5.如申请专利范围第1项之方法,其中更进一步包括经由该导孔来洗净该帽盖金属的步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该帽盖包括了一介于300埃至500埃之间的厚度。7.一种用来连接金属结构的自我调整的帽盖金属的方法,其包括的步骤为:提供一金属结构于一第一介电层中,该金属结构和第一介电层具有一实质地平面的表面;沈积一耐火金属于该金属结构以及第一介电层上形成一合金于该金属结构和该耐火金属之间如此以致于合金只形成在该金属结构的实质地平面的表面上;从该第一介电层移除该耐火金如此以致于该合金的部份仍然和该金属结构在一起;形成一第二介电层于该合金之上;打开该第二介电层以形成一导孔,其终结于该一合金之中;以及沈积一导电材料于导孔中,以透过该合金形成一至该金属结构的接点。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该金属结构包括铝和铜之一种。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该耐火金属包括钛、镁、镍、钽、铪、以及铌之一种。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该接点包括铝和铜之一种。11.如申请专利范围第7项之方法,其中更进一步包括透过该导孔来洗净该帽盖金属的步骤。12.如申请专利范围第7项之方法,其中该帽盖金属包括一介于300埃至500埃之间的厚度。13.如申请专利范围第7项之方法,其中形成一合金的该步骤包括高于405℃的烧结的步骤。14.如申请专利范围第7项之方法,其中移除该耐火金属的该步骤包括用蚀刻剂来蚀刻该耐火金属。15.如申请专利范围第7项之方法,其中移除该耐火金属的该步骤包括抛光耐火金属。图式简单说明:第一图是一传统的接点结构的横剖面;第二图是一具有帽盖金属形成于其上的一金属结构的横剖面图,根据本发明。第三图是第二图的结构的横剖面图,其显示出所形成的一介电层,根据本发明。第四图是第三图的结构的横剖面图,其显示出透过介电层所形成的导孔且终结的帽盖金属之中,根据本发明。第五图是第四图的结构的横剖面图,其显示出在导孔中所形成的接点且终点在帽盖金属之中,根据本发明。第六图是一金属结构的横剖面图,其显示出一耐火金属层沈积在其上,根据本发明。第七图是第六图的结构的横剖面图,其显示出经由烧结的合金以形成一帽盖金属,根据本发明。第八图是第六图的结构的横剖面图,其显示出耐火金属,其系被选择地移至合金,根据本发明。第九图是第八图的结构的横剖面图,其显示出一形成接点,其系终结于帽盖金属(合金),根据本发明;且第十图是一形成于介电层中的双重嵌入结构的横剖面图,根据本发明。 |
