| 主权项 |
1.一种耐蚀性元件,其特征在于包括:一陶瓷构成之基材,其在室温下之电阻率为5000cm以上;一碳化矽薄膜,其至少覆盖于上述基材之中暴露于腐蚀性物质的面,该碳化矽薄膜在室温下之电阻率为20cm以上、500cm以下,并且是利用化学气相沈积法形成。2.如申请专利范围第1项所述之耐蚀性元件,其中上述碳化矽薄膜为n型半导体,且在20℃之Hall移动率为0.3cm2/Vsec以上、1.5cm2/Vsec以下;载子密度为11016/cm3以上、11018/cm3以下;载子活化能为0.15eV以上、0.17eV以下。3.如申请专利范围第1或2项所述之耐蚀性元件,其中上述碳化矽薄膜是由柱状结晶的集合体构成,且上述柱状结晶的高宽比为1.5-20。4.如申请专利范围第3项所述之耐蚀性元件,其中上述碳化矽薄膜之中的柱状结晶往上述薄膜表面之略垂直方向延伸。5.如申请专利范围第3或4项所述之耐蚀性元件,其中上述碳化矽薄膜经过化学气相沈积后的表面,是由上述柱状结晶前端四角锥形状的刻面构成,且从上述碳化矽薄膜表面观看时,上述刻面平均尺寸为4m以上、6m以下,并且尺寸为20m以上的刻面占刻面所有面积之10%以上、80%以下的比例。6.一种耐蚀性元件的制造方法,其为申请专利范围第1项所述之耐蚀性元件的制造方法,进行化学气相沈积以在上述基材形成上述碳化矽薄膜时,于薄膜形成温度导入以一种以上选自SiCl4.SiHCl3.SiH2Cl2.以及SiH4组成族群之矽源化合物;一种以上选自CH4.C2H6.以及C3H8组成族群之碳源化合物;氢气;氩气之混合气体当作原料气体,其特征在于原料气体满足下列关系:0.14≦([A]+[B]n)/([Ar]+[H2]n≦0.551.0≦[A]/([B]n)≦1.60.09≦[Ar]/[H2]≦5(n为每一分子之上述碳源化合物的碳原子数,[A]为上述矽源化合物换算成标准状态之气体时的体积,[B]为上述碳源化合物换算成标准状态时之体积,[Ar]为氩气换算成标准状态时之体积,[H2]为氢气换算成标准状态时之体积。)7.一种耐蚀性元件的制造方法,其为申请专利范围第1项所述之耐蚀性元件的制造方法,进行化学气相沈积以在上述基材形成上述碳化矽薄膜时,于薄膜形成温度流入氢气,其次,导入一种以上选自SiCl4.SiHCl3.SiH2Cl2.以及SiH4组成族群之矽源化合物,然后导入上述至少1种矽源化合物与一种以上选自CH4.C2H6.以及C3H8组成族群之碳源化合物。8.如申请专利范围第1项所述之耐蚀性元件,其中该基材系碳化矽陶瓷,而化学气相沈积法形成之碳化矽薄膜为1mm以上,其直接覆盖于该基材上。图式简单说明:第一图(a)为本发明较佳实施例之加热装置之概略图(b)为沿着第一图(a)之加热装置Ib-Ib线之概略剖面图。第二图为本发明其他实施例之加热装置的概略剖面图。第三图为本发明的方法之中,适合制造耐蚀性元件之化学气相沈积装置之概略图。第四图(a)显示接合强度测定用试料32的立体图,(b)为用以说明使用(a)试料以测定接合强度之方法模式图。第五图显示实验1的比较例1之中,碳化矽薄膜与基材界面状态的电子显微照片。第六图显示实验1的比较例1之中,碳化矽薄膜与基材界面状态的电子显微照片。第七图显示实验1的实施例1之中,碳化矽薄膜与基材界面状态的电子显微照片。第八图显示实验1的实施例2之中,碳化矽薄膜与基材界面状态的电子显微照片。第九图显示用以测定碳化矽薄膜之电阻率的装置模式图。第十图为本发明碳化矽薄膜剖面的微构造模式图。 |
