| 主权项 |
1.一种光阻剂共聚物,其选择自以下所组成之族群:(a)聚(双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸第三-丁酯/2-环戊烯-1-乙酸),其表示为下列化学式2A;<化学式2A>X=0.09,Y=0.91莫耳进料比,(b)聚(5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯/2-环戊烯-1-乙酸),其表示为下列化学式3A;<化学式3A>X=0.08,Y=0.92莫耳进料比,(c)聚(双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸/2-环戊烯-1-(乙酸第三丁酯),其表示为下列化学式6A;<化学式6A>X:Y=14莫耳%:86莫耳%,(d)聚(5-原冰片烯-2-羧酸/2-环戊烯-1-(乙酸第三-丁酯),其表示为下列化学式7A<化学式7A>X:Y=12莫耳%:88莫耳,(e)聚(双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸第三-丁酯/原冰片烯-2-甲醇),其表示为下列化学式8A,<化学式8A>X:Y=64莫耳%:36莫耳%,(f)聚(双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸第三丁酯/原冰片烯-2-甲醇),其表示为下列化学式9A,<化学式9A>X:Y=64莫耳%:36莫耳%。2.根据申请专利范围第1项的光阻剂共聚物,其中该光阻剂共聚物具有3,000到200,000之分子量。3.一种制备根据申请专利范围第1项之光阻剂共聚物的方法,其包括下列的步骤(i)至(iv):(i)将至少二个选自包括2-环戊烯-1-乙酸,2-环戊烯-1-(乙酸第三-丁酯),双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸第三-丁酯,双环[2,2,2]辛-5-烯-2-羧酸,5-原冰片烯-2-羧酸第三-丁酯,5-原冰片烯-2-羧酸,和原冰片烯-2-甲醇之脂族环烯烃加至一反应器内之步骤;(ii)将引发剂加至反应器内的步骤;(iii)以氩或氮化物大气冲洗反应器的步骤;和(iv)在60-200℃之温度和50-100大气压之压力下反应步骤(iii)的反应产物的步骤。4.根据申请专利范围第3项的制备光阻剂共聚物的方法,其中该引发剂选自包括过氧化第三-丁基,过氧化二-第三-丁基和过氧化二苯甲醯。5.一种光阻剂组成物,其包括(i)至少一根据申请专利范围第1项之光阻剂共聚物,(ii)光酸产生剂,及(iii)有机溶剂,其中该光酸产生剂之份量为光阻剂共聚物的0.01至10重量%,而该有机溶剂之份量为光阻剂共聚物的200至1000重量%。6.根据申请专利范围第5项的光阻剂组成物,其中该光阻剂共聚物具有3,000到200,000之分子量。7.一种制备光阻剂组成物的方法,其包含下列的步骤(i)至(iii):(i)提供一根据申请专利范围第1项之光阻剂共聚物的步骤;(ii)在步骤(i)的产物中混合光酸产生剂的步骤;和(iii)在溶剂中混合步骤(ii)的产物,以产生光阻剂的步骤,其中该光酸产生剂之份量为光阻剂共聚物的0.01至10重量%,而该溶剂之份量为光阻剂共聚物的200至1000以重量%。8.一种光阻剂图案形成方法,该方法包括下列步骤:提供一种底材;藉由涂布根据申请专利范围第5项之光阻剂组成物而将一种光阻剂薄膜提供至一基材上;使用具有曝光能量为0.1至40mJ/cm2之电磁辐射曝光一部分之光阻剂薄膜;将该光阻剂薄膜以TMAH水溶液显影以形成光阻剂图案。 |
