| 主权项 |
1.一种包括发光元素的电发光显示装置,包括:一个阳极;一个发光层;及一个阴极,其中,不纯元素被选择性添加入阳极及发光层之间的介面邻接处中的第一部份,及阻极及发光层之间的介面邻接处中之第二部份的至少其一。2.一种包括发光元素的电发光显示装置,包括:一个阳极;一个发光层;及一个阴极,其中,卤素被选择性添加入阳极及发光层之间的介面邻接处。3.依据申请专利范围第2项的装置,其中,卤素系自包含氟(F)、氯(Cl)、硼(B)及碘(I)之组群中至少被挑选其一。4.一种包括发光元素的电发光显示装置,包括:一个阳极;一个发光层;及一个阴极,其中,从包含硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素之组群中挑选至少其一而被选择性添加入阴极及发光层之间的介面邻接处。5.依据申请专利范围第4项的装置,其中,硷金属元素系自包含锂(Li)、钠(Na)、钾(B)、或铯(Cs)的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)的组群中至少被挑选其一。6.一种包括光发光元素的电发光显示装置,包括:一个阳极;一个发光层;及一个阴极,其中,卤素被选择性添加入阳极及发光层之间的介面邻接处中的第一部份,及其中,从包含硷金属元素及丙氨酸金属氧化物元素之组群中至少挑选其一而被选择性添加入阴极及发光层之间的介面邻接处。7.依据申请专利范围第6项的装置,其中,卤素系自包含氟、氨、硼及碘之组群中至少被挑选其一;其中,硷金属元素系自包含锂、钠、钾或铯的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍、镁、钙的组群中至少被挑选其一。8.依据申请专利范围第1项的装置,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。9.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阳极;形成一个发光层于阳极上;形成一个阴极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阴极上;及利用抗蚀膜选择性将至少一个被挑选自包括硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。10.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阴极;形成一个发光层于阴极上;形成一个阳极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阴极上;及利用抗蚀膜选择性将至少一个被挑选自包括硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素添加入阴极及发光层之间的介面邻接处的部份。11.依据申请专利范围第9项的方法,其中,硷金属元素系自包含锂、钠、钾或铯的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍、镁、钙的组群中至少被挑选其一。12.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阳极;形成一个发光层于阳极上;形成一个阴极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阴极上;及利用抗蚀膜选择性将卤素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。13.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阴极;形成一个发光层于阴极上;形成一个阳极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阳极上;及利用抗蚀膜选择性将卤素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。14.依据申请专利范围第12项的方法,其中,卤素系自包含氟、氯、硼及碘之组群中至少被挑选其一。15.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阳极;形成一个发光层于阳极上;形成一个阴极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阴极上;及利用抗蚀膜选择性将卤素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份,利用抗蚀膜选择性将至少一个被挑选自包括硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。16.一种制造电发光显示装置的方法,该方法包括的步骤为:形成一个阴极;形成一个发光层于阴极上;形成一个阳极于发光层上;形成一个抗蚀膜于阳极上;及利用抗蚀膜选择性将至少一个被挑选自包括硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。利用抗蚀膜选择性将卤素添加入阳极及发光层之间的介面邻接处的部份。17.依据申请专利范围第15项的方法,其中,卤素系自包含氟、氯、硼及碘之组群中至少被挑选其一。其中,硷金属元素系自包含锂、钠、钾或铯的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍、镁、钙的组群中至少被挑选其一。18.依据申请专利范围第9项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。19.依据申请专利范围第10项的方法,其中,硷金属元素系自包含锂、钠、钾或铯的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍、镁、钙的组群中至少被挑选其一。20.依据申请专利范围第10项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。21.依据申请专利范围第12项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阻极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。22.依据申请专利范围第13项的方法,其中,卤素系自包含氟、氯、硼及碘之组群中至少被挑选其一。23.依据申请专利范围第13项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。24.依据申请专利范围第15项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。25.依据申请专利范围第16项的方法,其中,卤素系自包含氟、氯、硼及碘之组群中至少被挑选其中一;其中,硷金属元素系自包含锂、钠、钾或铯的组群中至少被挑选其一,而丙氨酸金属氧化物元素系自包含铍、镁、钙的组群中至少被挑选其一。26.依据申请专利范围第16项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。27.依据申请专利范围第2项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。28.依据申请专利范围第4项的方法,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。29.依据申请专利范围第6项的装置,其中,阳极包括一个可透导体薄膜,而阴极包括一个含有硷金属元素或丙氨酸金属氧化物元素的金属薄膜。图式简单说明:第一图A至第一图C为显示实施例1之电发光显示装置的制程图;第二图为显示实施例1之电发光显示装置的部份结构图;第三图A及第三图B为描述本发明之电发光显示装置的影像显示图;第四图A及第四图B为显示实施例2之电发光显示装置的制程图;第五图A及第五图B为显示实施例3之电发光显示装置的制程图;第六图A至第六图C为显示实施例4之电发光显示装置的制程图;第七图A及第七图B为显示实施例5之电发光显示装置的制程图;及第八图A及第八图B为显示实施例6之电发光显示装置的制程图。 |
