| 主权项 |
1.一种热处理方法,其特征为包含:装载步骤,将表面设有微小凹凸状矽膜之被处理体装载于处理容器内;及掺杂步骤,以PH3气为掺杂气维持550~750℃温度将杂质磷原子导入前述矽膜中。2.如申请专利范围第1项之热处理方法,其中前述装载步骤包括:在将前述被处理体装载于前述处理容器内时,将前述处理容器内部温度设定为比400℃低之温度之步骤。3.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中更在前述装载步骤与前述掺杂步骤间具备:昇温步骤,将前述处理容器内部昇温至550~750℃范围。4.如申请专利范围第3项之热处理方法,其中更在前述装载步骤与前述昇温步骤间具备:将前述被处理体曝露于循环清除处理之步骤。5.如申请专利范围第3项之热处理方法,其中更在前述装载步骤与前述昇温步骤间具备:将前述掺杂气供给前述处理容器内部成为一定压力之步骤。6.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中前述掺杂步骤包含:将前述处理容器内部压力维持于100~400Torr之步骤。7.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中前述掺杂步骤后更包含:降温步骤,继续供给掺杂气边将前述处理容器内部压力维持一定压力并使前述处理容器降温至一定温度。8.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中具有微小凹凸状矽膜为HSG多晶矽膜。9.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中具有微小凹凸头矽膜为碎多晶矽膜。10.如申请专利范围第1或2项之热处理方法,其中前述掺杂步骤后更包含:将掺杂步骤导入磷原子之矽膜做为电容器电极之一部分利用之步骤。图式简单说明:第一图系实施本发明方法用热处理装置一例之概略构造图。第二图系说明本发明方法之第1实施例用时间图。第三图系从HSG多晶矽膜或碎多晶矽膜表面脱离之氢气量之温度相关性曲线图。第四图系依TEOS之从SiO2膜表面脱离之水分量温度相关性曲线图。第五图系将半导体晶圆以300℃负载时,与如先前以400℃负载时之磷浓度与薄膜电阻性曲线图。第六图系评价清洁处理有效性用曲线图。第七图系说明本发明方法之第2实施例用时间图。第八图系电容容量比之曲线图。第九图系形成HSG多晶矽膜做为表面凹凸状多晶矽膜之步骤之步骤图。第十图系形成碎多晶矽膜做为表面凹凸状多晶矽膜之步骤之步骤图。第十一图系由形成图形于电容绝缘膜上之上部电极而成之电容器图。第十二图系将正与负电压施加于电容器时容量变化之曲线图。 |
