| 主权项 |
1.一种半导体发光装置,其包括:一种基片;一种含至少一个发光区之半导体层;一种具有可透光特性之金属层;一种用以将至少一部份自该发光区发射之第一道光转化成具有与该第一道光不同波长之第二道光之第一萤光材质层;及一种在该金属层与该第一萤光材质层之间形成之氧化物半导体层,且其具有可透光特性。2.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该半导体系由氮化镓族化合物半导体层形成。3.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该金属层系由欧姆金属薄膜形成。4.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该金属层之厚度为约1毫微米至约10毫微米。5.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该氧化物半导体层之厚度为约0.1微米至约1微米。6.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该氧化物半导体层包含至少一种选自包括In2O3,SnO2,ZnO,Cd2SnO4,及CdSnO3之物质。7.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中第一电极系在部份该金属层上形成。8.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中第二电极系在部份该氧化物半导体层上形成。9.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中导电线系在部份该氧化物半导体层上形成。10.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中:该金属层之底表面积小于该氧化物半导体层之底表面积;且第二萤光材质层系在该氧化物半导体层之侧面及该半导体层之侧面上形成。11.根据申请专利范围第10项之半导体发光装置,其中第三萤光材质层系在该基片之侧面上形成。12.根据申请专利范围第1项之半导体发光装置,其中该第一萤光材质层系经叠层多层萤光材质层而获得,其中各该多层萤光材质层具有彼此不同之发光波长。13.一种半导体发光装置,其包括:一种基片;至少一层第一导电半导体层;提供多层第二导电半导体层在至少一种互相间具有预定宽度之第一导电半导体层上;及多层具有透光特性之金属层,其中:该至少一层第一导电半导体层及该多层第二导电半导体层可提供多个发光区;该半导体发光装置尚包括:用以将至少一部份自该多层发光区当中至少一层发出之第一道光转化成具有与该第一道光不同波长之第二道光之萤光材质层;及在该多层金属层与该多层萤光材质层之间所形成之多层氧化物半导体层,且其具有透光特性;且各该多层萤光材质层具有彼此不同之发光波长。14.根据申请专利范围第13项之半导体发光装置,其中该至少一层第一导电半导体层及该多层第二导电半导体层各由氮化镓族化合物半导体形成。图式简单说明:第一图系说明根据本发明第一项具体实例之氮化镓族化合物半导体发光装置之横断面图;第二图A至第二图C系说明一种制备根据本发明第一项实例之该氮化镓族化合物半导体发光装置之方法;第三图系说明根据本发明第二项实例之氮化镓族化合物半导体发光装置之横断面图;第四图A至第四图C系说明一种制备根据本发明该第二项实例之该氮化镓族化合物半导体发光装置之方法;第五图系说明根据本发明第三项实施例之氮化镓族化合物半导体发光装置之横断面图;第六图A至第六图C系说明一种制备根据本发明该第三项实施之该氮化镓族化合物半导体发光装置之方法;第七图系说明根据本发明第四项实例之氮化镓族化合物半导体发光装置之横断面图;第八图系说明根据本发明第五项实例之氮化镓族化合物半导体发光装置之横断面图;第九图A至第九图C系说明一种制备根据本发明该第五项实例之该氮化镓族化合物半导体发光装置之方法;及第十图系说明一种习用氮化镓族化合物半导体发光装置。 |
