| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含有:具有一导电电极垫形成其上的一半导体基板;具有一第一金属层、一第三金属层及一调整层于其间之凸块底金属化(UBM)被形成电极垫上,其中后续沈积的第二与第四金属层各与第一与第三金属层以相同材料制作,其中由第一金属层至第三金属层,该第二金属层逐渐变薄,而由第一金属层至第三金属层,该第四金属层逐渐变厚;被形成于UBM上的一导电凸块。2.如申请专利范围第1项之装置,其中第二与第四金属层由交互扩散的薄复层制作。3.如申请专利范围第1项之装置,其中第二与第四金属层各由一单层制作。4.如申请专利范围第1项之装置,其中第一与第二金属层由铬制作,而该第一与第二金属层由铜制作。5.一种用于制作半导体装置的方法,其包含的步骤有:形成一导电电极垫于一基板上;形成具有一开口的保护层,而将基板中的电极垫暴露出;以及依存沈积一个第一金属层、作为一中间层的一调整层,以及一个第三金属层于该电极垫与保护层上,而形成UBM,其中该调整层系以相同材料的第一与第二金属层,以及相同材料的第三与第四金属层而被形成,以及由第一金属层至第三金属层,该第二金属层逐渐变薄,而由第一金属层至第三金属层,该第四金属层逐渐变厚。6.如申请专利范围第5项之方法,其中第二与第四金属层由交互扩散的薄复层制作。7.如申请专利范围第5项之方法,其中第二与第四金属层各由一单层制作。8.如申请专利范围第5项之方法,其中第一与第二金属层由铬制作,而该第一与第二金属层由铜制作。9.如申请专利范围第5项之方法,其中该第一与第二层可藉由具有铬靶极的溅镀制程制作,而该第三与第四层可藉由具有铜靶极的溅镀制程制作。图式简单说明:第一图至第六图为根据习知技艺之半导体装置制程的示意横剖面图。第七图为根据习知技艺之半导体装置之UBM中的组成分布图。第八图为根据本发明之半导体装置之一实施例的示意横剖面图。第九图为根据本发明之一实施例之用于第八图所示之半导体装置的UBM的复层结构的调整层的示意横剖面图。第十图为根据装置本发明之另一实施例之用于第八图所示之半导体装置的UBM的复层结构的调整层的示意横剖面图。第十一图为第九图所示之半导体装置之UBM中的组成分布图。 |
